| 摘要 |
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, weniger Fehler in Fertigungsschritten und eine erhöhte Zuverlässigkeit durch Verringern einer elektrischen Feldstärke einer Oberfläche eines Leistungshalbleiter-Chips zu erzielen. Die vorliegende Erfindung weist auf: einen Leistungshalbleiter-Chip (4), der auf einem isolierenden Substrat (2) angeordnet ist; eine Verdrahtung (5), die mit einem Oberflächenleitermuster in einem Elementbereich (4A) des Leistungshalbleiter-Chips verbunden ist; eine Schicht (8) mit einer niedrigen Dielektrizitätskonstanten, die zwischen der Verdrahtung und dem Umfangsbereich (4B) angeordnet ist; und ein versiegelndes Material (6), das so ausgebildet ist, dass es das isolierende Substrat, den Leistungshalbleiter-Chip, die Verdrahtung und die Schicht mit der niedrigen Dielektrizitätskonstanten bedeckt. Die Schicht mit der niedrigen Dielektrizitätskonstanten weist eine Dielektrizitätskonstante auf, die niedriger ist als diejenige des versiegelnden Materials. |
