乾蚀刻方法

摘要

揭示一种乾蚀刻法，藉其来蚀刻由耐火金属矽化物层和多晶矽层所组成并堆叠而成的多晶矽化物薄膜，具有高各向异性、低污染、高选择性和高速，而不需使用ｆｌｏｎ气体。依据本发明的方法，在主要为抗蚀材料和Ｂｒ之反应产物的侧壁保护下，使用含有氟基气体并至少混合ＨＢｒ的蚀刻气体来蚀刻多晶矽化物薄膜以实现各向异性处理。大约只使用氟基气体或ＨＢｒ来实施晶片平面中之均匀处理的过蚀刻，以实现高速并增进基底选择性。过蚀刻步骤之前为氧电浆处理，将反应产物氧化并强化侧壁保护效果，同时增进了各向异性。最后，监控蚀刻时之发射光谱强度的改变，以决定耐火金属矽化物层的蚀刻终点，能更精确地设定蚀刻条件。

主权项

~ll30;1.一种用于由耐火金属矽化物层和多晶矽层所组成之多晶矽化物薄膜的乾蚀刻方法, 其中改进之处在于该方法包括:使用含有 氟基气体并至少混合HBr的蚀刻气体来蚀 刻该多晶矽化物薄膜的第一步骤。2.如申请专利范围第1项之方法,其中改进 之处在于该方法另包括:使用HBr来过蚀刻的第二步骤。3.如申请专利范围第1项之方法,其中改进之处在于该方法另包括: 使用氟基气体来过蚀刻的第二步骤。4.如申请专利范围第1项之方法,其中改进 之处在于该方法另包括: 氧电浆处理的第二步骤,以及 过蚀刻的第三步骤。5.如申请专利范围第1项之方法,其中改进 之处在于:蚀刻该耐火金属矽化物层的终 点是由监控发射光谱强度的改变所决定。