半导体装置(二)

摘要

本发明的半导体装置，包括了大量已排列的半导体装置；而藉选择性地连接单元装置的元件之间及单元装置之间，设计组成所需逻辑电路。每一个单元装置，至少包括一个第一种导电度型的第一种隔离式－闸极型场－效电晶体，及一个被安置在邻近第一种晶体的第二种导电度型之第二种隔离式－闸极型场－效电晶体，及具有一个由第一种电晶体的闸极电极分离而来的闸极电极，各自电晶体的闸极电极，在彼此邻接边上至少具有一个闸极端点部分，以及第一种场－效电晶体的闸极端点部分，至少具有一个第一个配线连接部分，及一个第二个配线连接部分。利用第二个配线连接部分，藉第一层的最短铝配线，在单元装置之内及之间的配线可予以实现，以致于改进了配线的适用性。

主权项

1.一种半导体装置,具有横向排列之多个单 元半导体装置及形成在该单元半导体装置 上之至少2层配线层,以使对该配线层选 择施加横向或纵向配线,使单元半导体装 置互相连接及使单元半导体装置内之元件 互相连接,藉以藉成期望之电路者,其特 徵为: 该单元半导体装置内之元件具有:共有源极地区域汲极地区之第1导电型之第 1及第2绝缘闸场效电晶体,邻接形成在 第1及第2绝缘闸场效电晶体而共有源极 地区或汲极地区之第2导电型之第3及第 4绝缘闸场效电晶体; 第1,2,3及4绝缘闸场效电晶体 系彼此分离形成,且各自有用以连接该闸 极与该配线之闸端子部: 该第1及第3绝缘闸场效电晶体之闸 端子部彼此邻接,该第2及第4绝缘闸场 效电晶体之闸端子部亦彼此邻接; 至少该第2绝缘闸场效电晶体之闸端 子部具有可与该配线连接之2个接触区域 ,并在第1,第2及第4绝缘闸场效电晶 体之闸端子部所包围之区域形成有配线中 继区域。2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中,绝缘闸场效电晶体之闸端子部系 与闸极形成在同一层,并与各闸极连结成 一体。3.如申请专利范围第2项所述之半导体装置 ,其中,配线中继区域系与闸极形成在同 一层。4.如申请专利范围第3项所述之半导体装置 ,其中,第1绝缘闸场效电晶体之闸端子 部具有可与配线连接之2个接触区域。5.如申请专利范围第4项所述之半导体装置 ,其中,绝缘闸场效电晶体之通道区均具 同一配向。6.如申请专利范围第5项所述之半导体装置 ,其中,绝缘闸场效电晶体之闸端子部系 形成在源极及汲极以外之区域,并且具有 比该闸极宽度较大之宽度。7.如申请专利范围第6项所述之半导体装置 ,其中,在该配线层界定配线用之纵横格 子,在第1格子配置第1及第3绝缘闸场 效电晶体之闸端子部的一部份,在与第1 格子平行之第2格子配置配线中继区域, 在与第1格子平行之第3格子配置第2及 第4绝缘闸场效电晶体之闸端子部。8.如申请专利范围第7项所述之半导体装置 ,进一步具有与第1,第2及第3格子正 交之第4,第5及第6格子,在第4及第 5格子配置第1及第2绝缘闸场效电晶体 之闸端子部和配线中继区域之一部份,在 第6格子配置第3及第6绝缘闸场效电晶 体之闸端子部,和配线中继区域之其他部份。