| 主权项 |
1.一种低聚物,其在30℃下于N一甲基一2一 咯烷酮中在0.5g/d1浓度下测量之固有黏度为0.001一0.5dl/g,其系经由聚合及醯亚胺化下列成份而制得:(a)酸成份,由芳族四羧酸二酐及/或其衍生物所组成,(b)二胺成份,由5一100莫耳%之由未决定的式(I)所示之二胺基矽氧烷,和95一0莫耳%除式(I)以外之有机二胺所组成:其中R1是一具有1至5个碳原子之二价脂族基或一具有6或更多个碳原子之二价芳族基;R2和R3分别是一单价脂族或芳族基,且可相同或不同及m及1一100之整数。2.如申请专利范围第1项之低聚物,其中芳族四羧酸二酐之5莫耳%或更多是3,3',4,4'一苯甲醯苯四羧酸二酐。3.如申请专利范圉第1项之低聚物,其中酸成份是8,3,一氧化二敌酸酊和2,2一双(3,4一二酸基苯基)六氟丙烷二酐之混合物,且混合物中之莫耳比是90/10至10/90。4.如申请专利范围第1至3项中住一项之低聚物,其中二胺成份之10莫耳%或更多是由式(I)之二羧基矽氧烷和作为有机二胺之下式(II)所示之经烷基取代的芳族二胺所组成:其中R7至R10分别是C1一C4烷基;X、Y和Z分别是一O一、一SO2一、CH3或CF3;m1是1一4之整数;m2.m3和m4分则是0至4之整数;及n、p和q分别是0至10之整数。5.如申请专利范围第4项之低聚物,其中式(I)之二胺基矽氧烷与式(II]之经烷基取代的芳族二胺的莫耳比是50/50至100/0。6.如申请专利范围第4项之低聚物,其中经烷基取代的芳族二胺是2,4一二胺基甲苯。7.如申请专利范围第4项之低聚物,其中经烷基取代的芳族二胺是2,6一二胺基甲苯。8.如申请专利范围第4项之低聚物,其中经烷基取代的芳族二胺是2,2一双[4一(4一胺基苯氧基)苯基]丙烷。9.如申请专利范围第1至3项中任一项之低聚物,其中二胺成份之10莫耳%或更多是由式(I)之二胺基矽氧烷和下式(III)所示之二胺基 啶所组成:10.如申请专利范围第9项所述之低聚物,其中式(I)之二胺成份和式(III)之二胺基 啶的莫耳比是50/50至100/0。11.如申请专利范围第1至a项中任一项之低聚物,其中部份或全部式(I)之二胺基矽氧烷与酸酐以莫耳比,[酸酐]/[二胺基矽氧烷],至少为2之量反应。12.如申请专利范围第1至3项中任一项之低聚物,其中低聚物之醯亚胺程度是80一100%。13.一低聚物溶液,其是经由将如申请专利范围第1至3项中任一项之低聚物熔于一有机溶剂中而制得。14.如申请专利范围第13项之低聚物熔液,其中有机熔剂是选自二乙二醇二甲醚、三乙二醇二甲醚、N一甲基一2一咯烷酮,N,N一二甲基乙醯胺、四氢 喃、甲乙酮、二恶烷和氯化烃。15.一种低聚物,其在30℃下于N一甲基一2一 咯烷酮中在0.5g/dl浓度下测量之固有黏度为0.001一0.5dl/g,其是由聚合和醯亚胺化下列成份而制得,(a)酸成份,其含50莫耳%或更多之3,3',4,4'一笨甲醯苯四羧酸二酐及/或其衍生物,(b)二胺成份,其含50莫耳%或更多之下式(II)所示之经烷基取代的芳族二胺;其中R7至R10分别是C1一C4烷基;X,Y和Z分别是一O一、一SO2一、一CH33或CF3;m1是1一4之整数;m2.m3和m4分别是0至4之整数 |
