发明名称 阴极电积产生之氢为原因之薄膜缺陷的消除法
摘要 本发明系关于一种消除或减轻阳离子电泳淀积薄膜上之微细孔缺陷而不干援电积所需之水电解作用之方法。此项方法包括添加一种化合物于乳液中以减少阴极所产生之氢气。此化合物将于电积过程中被阴极所产生之氢所还原。氢将与此非气态化合物起反应而不会成为导致微细孔缺陷之氢气泡。
申请公布号 TW188867 申请公布日期 1992.08.11
申请号 TW080106494 申请日期 1991.08.16
申请人 罗门哈斯公司 发明人 马克.罗勃.瑞可
分类号 C25D13/10 主分类号 C25D13/10
代理机构 代理人 杜汉淮 台北巿吉林路二十四号九楼I室
主权项 1888671.一种减少阴极电积薄膜之针孔缺陷之方法,包括将由至少一种聚合物及被该电积期间产生之氢所还原之化合物之水性溶液或乳液组成之聚合物组成物所形成之薄膜电泳淀积于一表面上。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该聚合物组成物尚备有一光引发剂及一未饱和交联单体。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该被氢所还原之化合物系选自下式之化合物:式中:R1代表氢或C1-C5烷基; R2代表氢、C1-C5烷基、C7以下之芳香烃基或羟基取代C1-C5烷基; R3代表氢、C1-C5烷基、C7以下之芳香烃基或羟基取代C1-C5烷基; 当R1及R2均系氢时,R3系氢、C1-C5烷基、C7以下之芳香烃基或羟基取代C1-C5烷基;当R1系氢及R2系C1-C5烷基或C7以下之芳香烃基时,R3系C1-C5烷基、C7以下之芳香烃基或羟基取代C2-C5烷基;当R1系氢及R2系羟基取代C1-C5烷基时,R3系羟基取代C1-C5烷基;当R1系C1-C5烷基及R2系C1-C5烷基或羟基取代C1-C5烷基时,R3系羟基取代C1-C5烷基,或 R3代表硝基苯,被羟基、C1-C5烷基或羟基取代C1-C5烷基所取代之硝基苯,喃,及被羟基、C1-C5烷基或羟基取代C1-C5烷基所取代之喃。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该被氢所还原之化合物系选自硝基甲烷、硝基乙烷、1-硝基丙烷、2-硝基丙烷、2-硝基乙醇、2-硝基-1-丙醇、3-硝基-2-丁醇、2-甲基-2-硝基-1-丙醇、及4-硝基 醇。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该被氢所还原之化合物之浓度系约占该组成物总重量之0.05至10重量%。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该被氢所还原之化合物之浓度系约占该组成物总重量之3至5重量%。7.一种电泳淀积聚合物组成物,系由至少一种聚合物及被该电积过程中产生之氢所还原之化合物之水性溶液或乳液所组成为特征,且该聚合物组成物系以均匀黏附薄膜之型态阴极电积于一表面上。8.如申请专利范围第7项所述之电泳淀积聚合物组成物,尚备有一光引发剂及一未饱和交联单体。9.如申请专利范围第7项所述之电泳淀积聚合物组成物,其中该被氢所还原之化合物系选自下式之化合物:式中:R1代表氢或C1-C5烷基; R2代表氢、C1-C5烷基、C7以下之芳香烃基或羟基取代C1-C5烷基; R3代表氢、C1-C5烷基、C7以下之芳香烃基或羟基取代C1-C5烷基; 当R1及R2均系氢时,R3系氢、C1-C5烷基、C7以下之芳香烃基或羟基取代C1-C5烷基;当R1系氢及R2系C1-C5烷基或C7以下之芳香烃基时,R3系C1-C5烷基、C7以下之芳香烃基或羟基取代C2-C5烷基;当R1系氢及R2系羟基取代C1-C5烷基时,R3系羟基取代C1-C5烷基;当R1系C1-C5烷基及R2系C1-C5烷基或羟基取代C1-C5烷基时,R3系羟基取代C1-C5烷基,或 R3代表硝基苯,被羟基、C1-C5烷基或羟基取代C1-C5烷基所取代之硝基苯,喃,及被羟基、C1-C5烷基或羟基取代C1-C5烷基所取代之 喃。10.如申请专利范围第7项所述之电泳淀积聚合物组成物,其中该被氢所还原之化合物系选自硝基甲烷、硝基乙烷、1-硝基丙烷、2-硝基丙烷、2-硝基乙醇、2-硝基-1-丙醇、3-硝基-2-丁醇、2-甲基-2-硝基-1-丙醇及4-硝基 醇。11.如申请专利范围第7项所述之电泳淀积聚合物组成物,其中该被氢所还原化合物之浓度系占该组成物总重量之约0.05至10重量%。12.如申请专利范围第7项所述之电泳淀积聚合物组成物,其中该被氢所还原之化合物之浓度系占该组成物总重量之约3至5重量%。
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