| 主权项 |
1912961.一种组合感受器,包含: 组合感受器主体,用于材料沈积于邻近该组合感受器主体之受质上之型式之沈积装置; 该组合感受器主体具有第一预选材料之第一区域,该第一区域具有第一预选电阻; 该组合感受器主体更具有第二预选材料之第二区域,该第二区域具有第二预选电阻; 该第一预选电阻小于该第二预选电阻; 其中该第二区域界定接受用于加热该感受器之装置的穴。2.如申请专利范围第1项所述之组合感受器,更包含控制该第一区域电位之装置。3.如申请专利范围第1项所述之组合感受器,其中该第一区域为耐火金属。4.如申请专利范围第1项所述之组合感受器,其中该第一预选材料为选自钼、钨、钽,及铌及其组合所组之群之耐火金属。5.一种组合感受器,包含: 组合感受器主体,用于材料沈积于受质上之型式之沈积装置,该受质为邻近于该感受器主体; 该感受器主体具有第一区域,该第一区域具有第一预选电阻;该感受器主体具有第二区域,该第二区域具有第二预选电阻; 该第二区域界定接受一感应加热圈之穴; 其中该第一预选电阻之値小于该第二预选电阻之値; 其中形成该第一区域材料之材料具有自约2欧姆-公分至约200欧姆-公分之电阻系数。6.一种组合感受器主体,用于材料沈积于受质上之型式之沈积装置,该受质接触该组合感受器,该组合感受器包含: 组合感受器,具有接受受质之主要表面;该组合感受器主体包括在该主要表面之第一材料区域,该第一区域具有第一电阻; 该组合感受器主体更包括邻近该第一材料区域之第二材料区域,该第二区域具有第二电阻;及 其中该第二区域之电阻大于该第一区域之电阻。7.如申请专利范围第6项所述之组合感受器,更包括置于该第一及第二材料区域之间之介电层。8.如申请专利范围第6项所述之组合感受器,更包括在该主要表面置于该第一材料区域之相漂移材料层。9.如申请专利范围第6项所述之组合感受器,更包括自该主要表面间开之材料环,该环具有小于该第二材料区域之电阻。10.如申请专利范围第8项所述之组合感受器,更包括自该主要表面间开之材料环,该环具有小于该第二材料区域之电阻。11.如申请专利范围第9项所述之组合感受器,更包括置于该第一及第二材料区域之间之介电层。12.如申请专利范围第8项所述之组合感受器,更包括置于该第一及第二材料区域之间之介电层。13.一种组合感受器,包含: 组合感受器主体,具有第一材料区域,该第一材料区域具有主要表面; 该组合感受器主体具有在该第一材料区域之下之第二材料区域; 该第二材料区域具有高于该第一材料区域之电阻; 该第一材料区域包括该第一材料之副区域;及 该副区域实质上彼此为电分离。14.如申请专利范围第13项所述之组合感受器,更包括置于该第一及第二材料区域之间之介电层。15.如申请专利范围第13项所述之组合感受器,更包括在该主要表面置于该第一材料区域之相漂移材料层。16.如申请专利范围第13项所述之组合感受器,更包括自该主要表面间开之材料环,该环具有小于该第二材料区域之电阻。17.如申请专利范围第15项所述之组合感受器,更包括自该主要表面间开之材料环,该环具有小于该第二材料区域之电阻。18.如申请专利范围第16项所述之组合感受器,更包括置于该第一及第二材料区域之间之介电层。19.如申请专利范围第15项所述之组合感受器,更包括置于该第一及第二材料区域之间之介电层。20.如申请专利范围第15项所述之组合感受器,其中形成该第一材料区域之材料具有自约2欧姆-公分至约200欧姆-公分之电阻系数。21.如申请专利范围第15项所述之组合感受器,其中形成该第二材料区域之材料具有自约50欧姆-公分至约50000欧姆-公分之电阻系数。22.一种化学蒸发沈积装置之槽以化学蒸发沈积在受质上形成沈积物之方法,包含以下步骤: 提供加热由具有带电物种之气态原料沈积材料于其上之受质之装置: 该加热装置包括具有二相异区域之材料体; 该区域之一具有比另一该区域为低之电阻; 在具有槽之化学蒸发沈积装置安置邻近该体之受质使该体及该受质位于该槽且使该体之该区域之一比该区域之另一靠近该受质; 以该加热装置加热该受质至预定之温度; 在该气态原料包括该槽内之带电物种之情况下引入气态原料至该槽; 该气态原料之一部份流至邻近该受质之区域; 以电偏压装置以与该气态原料之该带电物种互相作用之方式电偏压该体之该区域之一;及 在完成来自该气态原料于该受质之材料沈积物之形成之情况下以该气态原料接触该受质。23.如申请专利范围第3项所述之发明,其中该加热装置为感应加热圈。24.一种组合感受器,包含: 组合感受器主体,用于材料沈积于邻近该组合感受器主体之受质上之型式之沈积装置; 该组合感受器主体更具有第一预选材料之第一区域,该第一区域具有第一预选电阻; 该组合感受器主体具有第二预选材料之第二区域,该第二区域具有第二预选电阻; 该第一预选电阻小于该第二预选电阻;及 其中该第二预选材料可被感应加热至自100℃至1500℃之温度且在该温度为热安定。25.一种组合感受器,齿麇H存器的步骤。23.如申请专利范围第22项所述之方 |
