| 发明名称 |
INSULATING GATE TYPE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH04283968(A) |
申请公布日期 |
1992.10.08 |
| 申请号 |
JP19910046710 |
申请日期 |
1991.03.12 |
| 申请人 |
NIPPONDENSO CO LTD |
发明人 |
OKABE NAOTO;TOKURA NORIHITO;KATO NAOTO |
| 分类号 |
H01L29/68;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/739;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/68 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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