发明名称 对光线或辐射线具有感光性之组成物
摘要 本发明系提供对光线或辐射线具有感光性之组成物。该组成物包含具有矽氧烷键结结构之聚合物以及激活剂( sensitizing agent),而前述聚合体在当用光线或辐射线照射时发生聚合反应。本发明亦提供使用本发明组成物来形成图型,制备光掩模和半导体装置的方法。
申请公布号 TW192611 申请公布日期 1992.10.11
申请号 TW080104934 申请日期 1991.06.25
申请人 松下电子工业股份有限公司 发明人 渡边尚志
分类号 G03F7/75 主分类号 G03F7/75
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.一种对光线或辐射线具有感光性之组成物,其包含:一基本上由具有矽氧烷键结结构之聚合体及一激活剂所组成之基底聚合体,其中该具有矽氧烷键结结构之聚合体当被光线或辐射线照射时会进行聚合反应且具有一种选自下列通式I,II及III所示之结构;其中R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8,R10,R11,R12,R13,R14,R15,R16,R17,及R18,各示氢原子,羟基,具1到5个碳原子之低级烷基,具1到5个碳原子之低级烷氧基,苯基, 基,苯氧基, 氧基或三烷基甲矽烷基,至少一选自R3及R4者示具1到5个碳原子之低烷氧基,至少一选自R7,R8,R9及R10者示其1到5个碳子之低烷氧基;且至少一选自R11,R12,R13,R14,R15,R16,R17及R18者示具1到5个碳原子之低烷氧基;且n,n2,n3及n各示1或更多之整数。2.如申请专利范围第1项之对光线或辐射线具有感光性之组成物,其中,该具有矽氧烷键结结构且由通式I,II或IlI所示之聚合体藉阴离子或阳离子两进行缩聚合,该阴离子或阳离子系藉组成物曝光于光线或辐射线从激活剂中所产生的。3.如申请专利范围第1项之对光线或辐射线具有感光性之组成物,其中,该具有矽氧烷键结结构且由通式I,II或III所示之聚合体藉酸或自由基催化而进行缩聚合。4.如申请专利范围第1项之对光线或辐射线具有感光性之组成物,其中,该具有矽氧烷键结结构之聚合体是一种由通式II所示之聚矽倍半氧烷,其中R5和R6各示烷基、或苯基。5.如申请专利范围第1项之对光线或辐射线具有感光性之组成物,其中,该具有矽氧烷键结结构之聚合体含量为10重量%或更高。6.如申请专利范围第1项之对光线或辐射线具有感光性之组成物,其中该激活剂被光线或辐射线照射时会产生一种酸。7.如申请专利范围第6项之对光线或辐射线具有感光性之组成物,其中,该激活剂是盐,重氮盐,或磺酸盐。8.如申请专利范围第1项之对光线或辐射线具有感光性之组成物,其中,该激活剂在光线或辐射线照射时产生自由基。9.如申请专利范围第8项之对光线或辐射线具有感光性之组成物,其中,激活剂是芳族酮,多卤化烃类,或三化合物。10.如申请专利范围第1项之对光线或辐射线具有构光性之组成物,其中,该激活剂含量为该基底聚合体重量之40重量%或更低。11.如申请专利范围第1项之对光线或辐射线具有感光性之组成物,其中,该激活剂含量在用电子束照射时为该基底聚合体重量之10重量%或更低,而当用紫外线照射时之含量是在该基底聚合体重量之0.2-10重量%范围内。12.一种对光线或辐射线具有感光性之组成物,其包括:一基本上由具有矽氧烷键结结构之聚合体,一激发剂及一在极性溶剂中具有高溶解度之染料所组成之基底聚合物,其中该具有矽氧烷键结结构之聚合体当被光线或辐射线照射时会进行聚合反应且具有一种选自下列通式I,II及III所示之结构:其中R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8,R10,R11,R12,R13,R14,R15,R16,R17,及R18,各示氢原子,羟基,具1到5个碳原子之低级烷基,具1到5个碳原子之低级烷氧基,苯基, 基,苯氧基, 氧基或三烷基甲矽烷基,至少一选自R2及R4者示具1到5个碳原子之低烷氧基,至少一选自R7,R8,R9及R10者示具1到5个碳子之低烷氧基;且至少一选自R11,R12,R13,R14,R15,R16,R17及R18者示具1到5个碳原子之低烷氧基;且n,n2,n3及m各示1或更多之整数。13.如申请专利范围第12项之对光线或辐射线具有感光性之组成物,其中,该在极性溶剂中具有高溶解度之染料为苯并 。14.一种形成图型(patter)之方法,其包含以下步骤:形成平滑层至基材上;涂布如申请专利范围第1项之对光线或辐射线具有感光性之组成物至该平滑层上而形成光阻膜;用光线或辐射线曝照光阻膜之预定部份,以及使用硷显影剂显影该光阻膜15.一种制造光掩膜(photomasks)之方法,其包括以下步骤:涂布不透光图型于基材表面上,涂布如申请专利范围第1项之组成物于具有掩蔽图型之该基材上以形成光阻膜,用光线或辐射线曝照该光阻膜之预定部份,使用显影剂显影该光阻膜而形成相面移动剂(phaseshifter)。16.如申请专利范围第15项之方法,其又包括以下步骤:令相面移动剂经热处理以使如申请专利范围第1项之组成物中所含聚合体之聚合反应完全。17.一种制造半导体装置之方法,其包括以下步骤形成半导体元件于基材上,形成许多结合小块(bonding pad)于基材上,形成保护膜以覆盖整个基材表面,令保护膜经蚀刻处理而在面向各个结合小块之保护膜部分形成窗口(windows),涂布如申请专利范围第1项之组成物至包括结合小块在内之保护膜的整个表面上,用光线或辐射线曝照光阻膜,使用显影剂显影该光阻膜,以及连接各个结合小块至网路上。18.如申请专利范围第1项之对光线或辐射线具有感光性之组成物,其中该具有矽氧烷键结结构之聚合体之重量平均
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