半导体装置之制造方法(一)

摘要

一种半导体装置之制造方法，包括：在形成于强介质膜两旁之电极中，需要连接于形成在半导体基板上之高浓度扩散层之电极(以后称下部电极)与高浓度扩散层之间形成聚矽膜之制程；在聚矽膜上形成下部电极之制程；应用选择比低之刻蚀法刻蚀该下部电极及聚矽膜之一部份之制程；及应用与氧化矽之选择比高之刻蚀法刻蚀其余之聚矽膜之制程。

主权项

1.一种半导体装置之制造方法,系将强介质膜经由形成于设有主动元件之同一半导体基板上之强介质膜两旁之电极予以积集,其特征为包括:在形成于强介质两旁之电极中,应连接于形成在半导体基板上之高浓度扩散层之电极(以后称为下部电极)与高浓度扩散层之间形成聚矽膜之制程;在该聚矽膜上形成下部电极之制程;使用选择比低之刻蚀法将下部电极及一部份聚矽膜予以刻蚀之制程;及使用与氧化矽之选择比高之刻蚀法刻蚀其余之聚矽膜之制程。2.如申请专利范围第1项之制造方法,其中,该聚矽膜系由化学式气组成长法形成。3.如申请专利范围第1项之制造方法,其中,该选择比低之刻蚀法为溅射刻蚀法。4.如申请专利范围第1项之制造方法,其中,该氧化矽与