| 主权项 |
1.一种半项体记忆元件,具有一记忆细胞阵列和周边电路,其中在组成记忆细胞阵列的电晶体的源极和汲极区域的不纯物扩散区域比组成周边电路的电晶体的源极和汲极区域的不纯物扩散区域的浓度低者。2.如申请专利范围第1项所述之半导体记忆元件,其中在组成记忆细胞阵列的电晶体的不纯物扩散区域是形成单层者。3.如申请专利范围第1项所述之半导体记忆元件,其中在组成记忆细胞阵列的电晶体的不纯物扩散区域是形成多层者。4.如申请专利范围第3项所述之半导体记忆元件,其中所述多层区域是包含对闸极自动对齐的一层薄的不纯物扩散区域和对接触电洞自动对齐的一层深的不纯物扩散区域者。5.如申请专利范围第1项所述之半导体记忆元件,其中组成周边电路的电晶体的不纯物扩散区域是多层的。6.如申请专利范围第5项所述之半导体记忆元件,其中所述的多层区域是由与闸极(14)自动对齐的低浓度的第一个不纯物扩散区域(100)和与在闸极边墙成形的间隔物自动对齐的高浓度的第二个不纯物扩散区域(200)所组成者。7.如申请专利范围第6项所述之半导体记忆元件,所述的第一个不纯物扩散区域(100)完全涵盖所述的第二个不纯物扩散区域(200)或部份包括所述的第二个不纯物扩散区域者。8.一种制造具有记忆细胞阵列和周边电路的半导体记忆元件的方法,包括下列:在第一种导电型半导体基质(10)上形成一层氧化膜(12);在所谓的第一个导电型半导体基质(10)整个表面上的闸门氧化膜做腐蚀和分层,因此形成间极(14);在所谓的闸极成形的半导体基质(10)整个表面上渗入第二种导电型半导体不纯物,因此形成第一个不纯物扩散区域(100);在所谓的第一个不纯物扩散区域(100)成形的整个表面上形成间隔材料;在周边电路整个表面上涂上光阻材料并经由照相制版程序移去在周边电路的光阻材料;经由同向性的腐蚀移去所谓的间隔物成形材料以便在排列于所谓的周边电路上电晶体的闸极(14)的边墙上形成间隔物(18a),然后移去剩余的光阻材料;使用所谓的间隔物(18a)当作遮蔽,渗入第二种导电型半导体不纯物,因此形成第二个不纯物扩散区域(200)。9.如申请专利范围第8项所述之半导体记忆元件的制造方法,其中第一种导电型半导体不纯物采用P型不纯物,且在第二种导电型半导体不纯物采用N型不纯物。10.如申请专利范围第8项所述之半导体记忆元件,其中所述的第二个不纯物扩散区域(200)的浓度比所谓的第一个不纯物扩散区域(100)为高。11.如申请专利范围第10项所述之半导体记忆元件的制造方法,其中所述的第一个不纯物扩散区域(100)的不纯物浓度在1017cm3至1018/cm3,且在所述的第二个不纯物扩散区域(200)的不纯物浓度在1020/cm3至1021/cm3。12.如申请专利范围第10项所述之半导体记忆元件的制造方法,其中所述的第一个不纯物扩散区域(100)是经由注射1.6El2离子/cm2@80KeV而成形的且在所谓的第二个不纯物扩散区域(200)是经由注入5.0E15离子/cm2@60KeV而成形的。13.如申请专利范围第10项所述之半导体记忆元件的制造方法,其中所述的第二个不纯物扩散区域(200)是经由扩散砷离子而成形的且在所述的第一个不纯物扩散区域(100)是以扩散磷离子而成形的。14.如申请专利范围第8项所述之半导体记忆元件的制造方法,所述的间隔物材料是一个氧化膜者。15.如申请专利范围第8项所述之半导体记忆元件的制造方法,所述的间隔物材料的厚度约为1700埃。16.如申请专利范围第8项所述之半导体记忆元件的制造方法,所述的第一个不纯物扩散区域(200)比所述的第一个不纯物扩散区域(100)薄。17.如申请专利范围第8项所述之半导体记忆元件的制造方法,所述的第二个不纯物扩散区域(200)比所述的第一个不纯物扩散区域(100)厚。18.一种在记忆细胞阵列上不纯物扩散区域的不纯物浓度比在周边电路低的半导体记忆元件的制造方法,在组成所谓的记忆细胞阵列的电晶体的不纯物扩散区域为了储存电极接触,经由在半导体基质(10)打出接触电洞而完成,在第一个不纯物扩散区域(100)经由使用所谓的电晶体上的闸极(14)当作遮蔽之处,渗入不纯物形成第三个不纯物扩散区域(300),电容器的形成是经由下列程序,为了与位元线接触打出接触电洞并形成第四个不纯物扩散区域(400)。19.如申请专利范围第8项所述之半导体记忆元件的制造方法,在所述的第三和第四不纯物扩散区域(300.400),所渗入的不纯物是属于同一种类型者。20.如申请专利范围第18项所述之半导体记忆元件的制造方法,所述的第三个和第四个不纯物扩散区域(300.400) |
