| 主权项 |
1﹒一种水平滑动式液相磊晶船,系利用融液于多片基板上达续成长多层之延伸磊晶层,包括:基板承载板,用以承载至少一基板;水平滑板,设有一相对于该基板承载板之磊晶成长槽及一融液刮槽,该磊晶成长槽上方并设有注入口:主融液槽,至少设有一融液槽以盛装融液;当该主融液槽移动,使该融液槽中之融液经该注入口流入该磊晶成长槽以覆盖该基板,于该基板表面成长磊晶;该水平滑板移动,以该融液刮槽抹去该基板表面之残余融液,将该水平滑板回复至原位置。2﹒如申请专利范围第1项之液相磊晶船,更包括一废液承载槽,用以收集该抹去之残余融液。3﹒如申请专利范围第1项之液相磊晶船,其中该基板为GaAs基板。4﹒如申请专利范围第1项之液相磊晶船,其中该主融液槽可分割成三个融液槽,以盛装三种不同成份之融液,于该基板依序连续成长三层延伸磊晶层。5﹒如申请专利范围第4项之液相磊晶船,其中该延伸磊晶层分别为P型AlGaAs被覆层、P型AlCaAs活性层及n型AlGaAs被覆层。6﹒如申请专利范围第1项之液相磊晶船,其系以动作石英杆使该主融液槽及该水平滑板移动。图示简单说明第1图为AlGaAs之DH结构图;第2图为液相磊晶糸统之剖视图;第3图为液相磊晶成长船之剖视图;第4图为基板承载板之上视图;第5图为磊晶成长之降温曲线图;第6A、6B图为磊晶成长之步骤流程图;第7图为磊晶成长层之厚度分布图;第8图为磊晶片1及2之发光亮度分布第9图为磊晶片1及2之发光中心波长分布图;及第10图为磊晶片1及2之顺电压分布图。 |
