发明名称 Semiconductor Power Module with a Frame Structure for Reducing Stray Inductance
摘要 본 발명은 표류 인덕턴스 감쇄 가능한 프레임 구조를 갖는 반도체 파워 모듈에 관한 것으로, 본 발명에 따른 반도체 파워 모듈은 전원을 공급하는 메인 리드 터미널; 복수의 전력 스위칭 소자; 상기 메인 리드 터미널과 상기 복수의 전력 스위칭 소자를 연결하는 리드 프레임; 및 상기 메인 리드 터미널 반대쪽의 리드 프레임 상에 설치되어 상기 리드 프레임을 통해 상기 복수의 전력 스위칭 소자에 전원을 공급하는 서브 리드 터미널을 포함한다. 이에 의해 본 발명에 의한 반도체 파워 모듈은 표류 인덕턴스 감쇄 가능한 프레임 구조를 가짐으로써 표류 인덕턴스를 약 반으로 감소하는 효과를 나타낼 수 있다. 또한, 표류 인덕턴스 감소에 의한 파워 모듈의 효율을 개선할 수 있으며, 반도체 파워 모듈에 포함된 파워 칩의 수명을 연장시킬 수 있다. 더 나아가, EMI 노이즈 특성의 개선뿐만 아니라 스너버 회로를 파워 칩과 가깝게 배치할 수 있으므로, 스너버 효과를 증대시킬 수 있다.
申请公布号 KR101681499(B1) 申请公布日期 2016.12.02
申请号 KR20150081718 申请日期 2015.06.10
申请人 (주)하이브론 发明人 김은식;원덕희;이남원;김현기
分类号 H01L23/48;H01L29/66 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人
主权项
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