发明名称 自氧化合成法生成物蒸馏残渣回收铑之方法
摘要 在氧化合成法生成物蒸馏残渣中以错合物形式存在的铑,是以二阶段制程回收。在第一阶段里,残渣是以氧或含氧气体,在 C2 -C4单羧酸和 C2-C4单羧酸硷金属存在下处理,再用水萃取。在第二反应阶段,是在添加醛、C2-C4 单羧酸和 C2-C4单羧酸硷金属后,又以氧或含氧气体处理,最好再用水萃取一次。
申请公布号 TW204373 申请公布日期 1993.04.21
申请号 TW080105964 申请日期 1991.07.31
申请人 霍奇史特公司 发明人 彼得赖布;海木特史普格尔
分类号 C22B3/00 主分类号 C22B3/00
代理机构 代理人 陈嗣庆 台北巿民权东路三段一四四号一五二六室
主权项 1﹒一种自氧化合成法生成物蒸馏残渣回收铑之方法,铑呈与有机磷(Ⅲ)化合物之错合物存在,此法是用氧或含氧气体处理残渣,包括在初期反应阶段用氧或含氧气体,在60-120℃和常压或加压下,于C2-C4单羧酸和C2-C4单羧酸硷金属盐存在下处理,再用水自残渣萃取铑呈水溶性化合物型,将水相和有机相彼此分离,于第二反应阶段又用氧或含氧气体,在0﹒2-10OMPa压力下和60-120℃,最好是80-100℃,于C2-C4单羧酸和C2-C4单羧酸硷金属盐存在下,加乙醛或丙醛处理有机相,并用水萃取除去有机相内存在之铊者。2﹒如申请专利范围第1项之方法,其中,在二反应阶段内各用空气做为含氧气体者。3﹒如申请专利范围第1或2项之方法,其中,在第一反应阶段内,每莫耳磷(Ⅲ)化合物使用10-2000莫耳氧,尤其是100-1200莫耳氧者。4﹒如申请专利范围第1项之方法,其中,在二反应阶段内各于残渣,按每莫耳未反应残渣内存在铑,加约1-150莫耳单羧酸,最好是5-50莫耳单羧酸者。5﹒如申请专利范围第1项之方法,其中,在二反应阶段内加乙酸或丙烯做为C2-C4单羧酸者。6﹒如申请专利范围第1项之方法,其中,在二反应阶段内各于残渣,按每莫耳未处理残渣内存在铑,加10-250莫耳C2-C4单羧酸硷金属盐,最好是25-100莫耳C2-C4单羧酸硷金属盐者。7﹒如申请专利范围第1项之方法,其中,采用乙酸、丙酸、正丁酸或异丁酸的钠盐或钾盐,做为C2-C4单羧酸硷金属盐者。8﹒如申请专利范围第1项之方法,其中,未处理残渣内的铑浓度,适当时,于添加稀释剂之后,给100ppm重量或以下,最好是30-90ppm重量者。9﹒如申请专利范围第1项之方法,其中,在第二反应阶段,每公斤残渣加0﹒01-2公斤,最好是0﹒05-1公斤醛者。10﹒如申请专利范围第1项之方法,其中,在二反应阶段内,有机相内存在之铑均用水分一段或多段,在20—80℃,最好30-70℃萃取者。
地址 德国