| 摘要 |
본 발명은 기판 상에서의 공극 증착 공정 및 반도체 공정 장비를 제공한다. 상기 공극 증착 공정에 따르면, 적어도 한 번의 금속 입자 이동 공정이 수행되되, 상기 금속 입자 이동 공정은: 스퍼터링 증착을 이용하여 기판 상의 공극 내에 금속 막을 형성하는 단계 S100; 및 상기 금속 막이 형성된 상기 기판을 소정의 온도로 가열하여, 상기 금속 막의 금속 입자들을 상기 공극의 상부에서 상기 공극의 하부로 점차적으로 이동시키는 단계 S200을 포함한다. 본 발명의 실시예들에 따른 기판 상에서의 공극 증착 공정 및 반도체 공정 장비는 상기 공극의 내측벽 상에서의 상기 금속 입자들의 커버리지 비를 증가시켜 상기 공극의 후속 매립 공정을 위한 최적의 조건을 제공할 뿐만 아니라, 공극의 크기에 대하여 특별한 제한이 없어 적용의 범위가 넓다. |
