| 主权项 |
1﹒一种可变操作速度MOS电晶体,包含有一个汲极、一个源极、以及具有长的长度且其上形成有多个接点的一个闸极,其特征在于:该闸极之一接点连接到接于第一电压准位的第一轮入端;该等多个接点连接到接于第二电压准位的第二输入端。2﹒如申请专利范围第1项所请求之可变操作速度MOS电晶体,其中该第一电压准位系透过第一开关电晶体供应,而该第二电压准位系透过第二开关电晶体供应,藉此,乃让该可变操作速度MOS电晶体之导通速度不同于该可变操作速度MOS电晶体之截止速度。3﹒如申请专利范围第1项所请求之可变操作速度MOS电晶体,其中该第一电压准位系为Vss,该第一开关电晶体系为nMOS电晶体,该第二电压准位系为Vcc,而该第二开关电晶体系为PMOS电晶体,藉此,乃让该可变操作速度MOS电晶体之导通速度不同于该可变操作速度MOS电晶体之截止速度。4﹒如申请专利范围第1项所请求之可变操作速度MOS电晶体,其中该第一电压准位系为Vcc,该第一开关电晶体系为PMOS电晶体,该第二电压准位系为Vss,而该第二开关电晶体系为nMOS电晶体,藉此,乃让该可变操作速度MOS电晶体之导通速度不同于该可变操作速度MOS电晶体之截止速度。5﹒如申请专利范围第1项所请求之可变操作速度MOS电晶体,其中该汲极系形成于该闸极之一侧,所该源梗系形成于该闸极之另一侧,藉此,一股大电流即可自该可变操作速度MOS电晶体之该源极流至该汲极。6﹒如申请专利范围第1项所请求之可变操作速度MOS电晶体,其中该汲梗系形成于该闸极之一侧,而该源极系形成于该闸极之另一侧,藉此,一股小电流即可自该可变操作速度MOS电晶体之该源极流至该汲极。7﹒如申请专利范围第1项可变操作速度MOS电晶体,其特似在于:该闸极之一端连接到多个第一MOS电晶体的诸汲极/源极,而该等第一MOS电晶体之诸源极/汲极系接至Vss;形成于该闸极上之诸中间位置处的多个接点被连接到与该等第一MOS电晶体相反型持之多个第二MOS电晶体之诸汲极/源极,该等第二MOS电晶体之诸源极/汲极系接至Vcc;以及输入信号系以会调理该可变操作速度MOS电晶体之导通与截止速度的方式而被供至该等第一与第二电晶体个别之间极。8﹒如申请专利范围第7项所请求之可变操作速度MOS电晶体,其中:用以减缓该可变操作速度MOS电晶体之导通与截止速度的输入端系接至该等第一MOS电晶体之诸闸极,而使一段长的RC时间延迟在诸输入信号传输期间发生:以及用以加快该可变操作速度MOS电晶体之导通与截止速度的输入端系接至连接于该等多个接点之该等第二MOS电晶体的诸闸极,而使诸输入信号均匀地被供至该闸极之该等接点,及使得一段短的RC时间延迟发生。9﹒如申请专利范围第8项所请求之可变操作速度MOS电晶体,其中该可变操作速度MOS电晶体之该闸极系被设以一个大的宽度,俾能提高通道宽度与电流容量。10﹒如申请专利范围第8项所请求之可变操作速度MOS电晶体,其中该可变操作速度MOS电晶体之该闸极系被设以一个长的长度,俾能增加通道长度及降低电流容量。11﹒如申请专利范围第7项所请求之可变操作近度MOS电晶体,其中,该等第一MOS电晶仁系呈一种nMOS型态,而该等第二MOS电晶体系呈一种PMOS型态。12﹒如申请专利范围第7项所请求之可变操作速度MOS电晶体,其中,该等第一MOS电晶体系呈一种pMOS型态,而该等第二MOS复晶体条呈一种nMOS型态。13﹒如申请专利范围第8项所请求之可变操作速度MOS电晶体,其中用以减缓该可变操作速度MOS电晶体之导通与截止速度的该输入端、与用以加快该可变操作适度MOS电晶体之导通与截止速度的该输入端具有相同波形。14﹒如申请专利范围第8项所请求之可变操作速度MOS电晶体,其中用以减缓该可变操作速度MOS电晶体之导通与截止速度的该输入端、与用以加快该可变操作速度MOS电晶体之导通与截止速度的该输入端具有不同波形。15﹒如申请专利范围第7项所请求之可变操作速度MOS电晶体,其中该等个别的电力信号系由开关装置予以切换。16﹒如申请专利范围第7项所请求之可变操作速度MOS电晶体,其中在该等个别信号之准位高于该可变操作速度MOS电晶体之临界电压时,该开关装置系为多个phfOS电晶体;而在该等个别信号之准位低于该可变操作速度MOS电晶体之临界电压时,该开关装置系为多个nMOS电晶体。17﹒如申请专利范围第7项所请求之可变操作速度MOS电晶体,其中在该闸极之该等电极中至少有一个电极系接于具有较该可变操作速度MOS电晶体之临界电压为低之电压的一个信号。18﹒如申请专利范围第7项所请求之可变操作速度MOS电晶体,其中被接至准位比该可变操作速度MOS电晶体之该临界电压为高之诸个别信号的该等电极,系被设置成在相邻电极间有一定空间。19﹒如申请专利范围第7项所请求之可变操作速度MOS电晶体,其中被接至准位比该可变操作速度MOS电晶体之该临界电压为高之诸个别信号的该等电极,系被设置成在相邻电极间有一定空间。20﹒如申请专利范围第7项所请求之可变操作速度MOS电晶体,其中该闸梗系被形成为曲折状。图示简单说明第l与2图概要绘示出传统型电晶体的布置图;以及第3至6图概要绘示出依据本创作构成之该种电晶体的布置图。 |
