| 主权项 |
1﹒一种于一可蚀刻底质之表面上进行局部电浆辅助化学蚀刻反应,以避免"式@L穿"之装置,包含:一电浆室,供以容纳一反应气体与电浆,具有一入口供以将所述反应气体导入所述室装置,及一出口供以从所述电浆室排除所述电浆;对所述电浆室施加后激发上装置,以将所述反应气粗转变成所述电浆;及局部施加所述电浆至所述底质表面之装,以界定一蚀刻足印,其具有一形状大致由电浆室出口之形状所界定。2﹒如申请专利范围第1项之装置,其中对所述反应气体施加激发之装置为一由平行板电极所驱动之rf放电,后者围绕所述电浆室放置。3﹒如申请专利范围第1项之装置,其中电浆室具有一环形形状,且其中对所述反应气体旋加激发之装置为一由感应式耦合电浆所驱动之rf放电,后者作用为一环绕环状电浆室之二次回圈。4﹒如申请专利范围第1项之装置,其中对所述反应气体施加激发之装置为一由电磁线圈所驱动之rf放电,后者缠绕于所述电浆室周围。5﹒如申请专利范围第1项之装置,其中电浆室出口之终端具有突缘附着于其上,其位置接近于所要蚀刻表面,以对电浆形成一牺牲之反应表面。6﹒如申请专利范围第5项之装置,其中该突缘由一与所述电桨交互作用之材料所构成。7﹒如申请专利范围第6项之装置,其中该交互作用材料为碳。8﹒一种于一底质表面上进行局部电浆转助化学蚀刻反应之装置,包含:电浆室用来包含有入口反应气体与电浆因为介绍所述反应气体与一电浆室,供以容纳一反应气体与电浆,具有一入口供以导入所述反应气体,及一出口供以从所述电浆室排除所述电浆;rf放电装置,供以对所述电浆室感应式施加rf激发;一交互作用突缘,附着于电浆室出口之终端,以提供一牺牲之反应表面接近于底质表面,以避免电浆于该出口所界定区域外侧与底质表面反应。9﹒如申请专利范围第8项之装置,其中该电浆室具有一环形形状,且其中该rf放电装置由一感应式耦合电浆所驱动,后者作用为一环绕环状电浆室之二次回圈。10﹒一种于一底质表面上进行局部电浆转助化学蚀刻反应之方法,包含步骤为:使一反应气体流入一室内,供局部电浆辅助化学蚀刻使用;对所述室内之反应气体施加一rf激发,以生成一电浆;使一电浆从该室之出口流出,及以一预定方式沿该底质表面并靠近之移动所述出口,以材料被移除之区域及该区域内被移除材料量。图示简单说明:图l为一电浆反应器之示意图,于出口具有一整体交互作用之外缘,供以于向下流模式控制局部材料移除。图2为一平行板rf放电向下流式电浆反应器系统之示意图。图3为一感滙式地耦合向下流式电浆反应器系统之示意图。图4为一电磁线圈所驱动rf放电向下流式电浆反应器系统之示意图。 |
