| 主权项 |
1﹒一种包含有氧化物部份或氮化物部份之被处理物之电蚀方法,其特征为,具备准备具有处理容器及于其中设置有一对电极之处理装置的工程;于该处理容器内之一对电极间,装入含氧化物部份或氮化物部份之被处理体的工程;导入含有卤素元素气体之处理气体于处理容器内的工程;供给电力于该一对电极间,生成该处理用气体之等电游离气,再藉由此等电游离气电蚀被处理物之氧化膜或氮化膜的工程所成;而在该等电游离气之气氛中,使其含有氧化数4以下之碳(C)和氧(O)之气体者。2﹒如申请专利范围第1项之包含有氧化物部份或氮化物部份之被处理物之电蚀方法,其中该含有氧化数4以下的碳(C)和氧(0)之气体系含一氧化碳(GO)气体者。3﹒如申请专利范围第1项之包含有氧化物部份或氮化物部份之被处理物之电蚀方法,其中该含有氧化数4以下的碳(C)和氧(0)之气体系至少含一种选自COOH,HCHO,CH3COOH及CH3OH所成群者。4﹒如申请专利范围第1项之包含有氧化物部份或氮化物部份之被处理物之电蚀方法,其中该合有卤素元素的气体为氟碳气体者。5﹒如申请专利范围第4项之包含有氧化物部份或氮化物部份之被处理物之电蚀方法,其中该含有卤素元素的气体为CHF3者。6﹒如申请专利范围第5项之包含有氧化物部份或氮化物部份之被处理物之电蚀方法,其中该含有氧化数4以下的碳(C)和氧(O)之气体系含一氧化碳(CO)气体者。7﹒如申请专利范围第6项之包含有氧化物部份或氮化物部份上被处理物之电蚀方法,其中该一氧化碳(CO)气体的供给量为超出CHF3之量者。8﹒如申请专利范围第1项之包含有氧化物部份或氮化物部份之被处地物之电蚀方法,其中该被处理物系具大半导体基片,及在其上被形成的氧化膜或氮化膜者。9﹒如申请专利范围第1项之包含有氧化物部份或氮化物部份之被处理物之电蚀方法,其中该被处理物系具有氧化物或氮化物的基片,和在其上所形成之半导体膜。10﹒如申请专利范围第1项之包含有氧化物部份或氮化物部份之被处理物之电蚀方法,其中该电蚀工程系由磁控管等电游离气电蚀装置所进行者。11﹒如申请专利范围第1项之包含有氧化物部份或氮化物部份之被处理物之电蚀方法,其中藉由导入该处理气体之工程,设定该处理容器内压力为5-300mTorr。12﹒如申请专利范围第1项之包含有氧化物部份或氮化物部份之被处理物之电蚀方法,其中供给予该一对电极间之电力为200-1500W。图示简单说明:图l,系显示为了实施关于本发明的电蚀方法所使用之乾电蚀装置的一实施例之概略构成图,图2A、2B,系为了说明以图l所示的装置被处理之半导体品片的电蚀工程之一例用的图,图3A~3D,系为了说明同电蚀工程之其他例用的图,图4系显示以图1之装置,使供给的CHF3与CO之总流量成为一定,且使CHF3流量与CO流量之比变化而实施本发明的方法时,CHF3流量与CO流量之比,和各薄膜层的电蚀率,及Sio,图案层之对Si基片以及抗蚀剂层的选择比之关系的图表,图5,系以CHF3气体与CO气体之流量比为参数时的显示微加载效果之图表,图6,系显示以图l的装置使供给之CHF3流量成为一定,使CO流量变化而实施本发明的方法时,CO流量,照各薄膜层之电蚀率,Sio2图案层的电蚀之均匀性,以及图案层Sio2的对Si基片及抗蚀剂层之选择比的关系之图表,图7,系显示在图4的各测定点使接触径变化时之电蚀状态的图,图8,系显示进行在图7所示之电蚀时的锥角之图表,图9,系显示本发明方法的对晶片温度之电蚀沟的锥角之变化的特性图。 |
