发明名称 冷轧先质膜制得之微孔膜
摘要 制作微孔性聚合物半结晶膜之方法,包括冷压挤出先质膜、较佳以双轴式之步聚使以约2:1至约10:1之因数压制此膜,较佳以双轴式拉伸此膜约100至约500%,并随意于拉伸步骤之前、或拉伸期间、或较佳于拉伸步骤之后在高达聚合物的α转变温度热韧化一段时间使足以保持最后成膜之微孔性。
申请公布号 TW221298 申请公布日期 1994.02.21
申请号 TW079100786 申请日期 1990.02.05
申请人 霍奇士西兰尼斯公司 发明人 加尼拉.伊.吉伯格–拉佛斯
分类号 B01D67/00;C08J5/18 主分类号 B01D67/00
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1﹒一种制备微孔膜之方法,包括冷压挤制聚 合型热塑性半结晶先质膜使膜之厚度缩减 至约2:1至约10比1,及拉伸压缩挤制 的膜约100%至约500%以赋与微孔性予 膜。 2﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中冷 压挤制的膜于高达制膜用聚合物之约转 变温度热韧化一段时间使足以保持膜之微 孔性。 3﹒根据申请专利范围第1或2项之方法,其 中膜于拉伸期间或其后在高达制膜用聚合 物之约转变温度热韧化一段时间使足以 保持膜之微孔性。 4﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中双 轴地进行冷压挤制程序。 5﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中以 几步分开的压缩挤制完成冷压挤制程序。 6﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中膜 厚经冷压挤制降低自约3比1至约8比1。 7﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中冷 压挤制膜拉伸范围约200至约300%。 8﹒根据申请专利范围第1或2项之方法,其 中以双轴式进行拉伸。 9﹒一种根据申请专利范围第1项之方法制得 之微孔膜,其厚度约5至约10密耳。 10﹒根据申请专利范围第9项之微孔膜,其 厚度约7至约10密耳。 11﹒一种根据申请专利范围第1项之方法制 得之微孔膜,其厚度约3至约10密耳且其 平均孔径在约20至30nm范围内。图示简单说明: 图1显示根据本发明方法所制膜上表 面之电子显微照相。电子显微相片中可见 本证明之微孔膜有极小而均匀的孔径及孔 隙分布,其平均孔径在约20nm至约50nm范 围内。 图2显示根据本发明方法所制膜之冷 冻破坏的端视图。其中可见本发明之膜有 泡沫状内部结构。
地址 美国