半导体器件

摘要

目的在于，提供具有包括具有不同特性的半导体元件的组合且能够实现更高集成度的新颖结构的半导体器件。半导体器件包括：第一晶体管，该第一晶体管包括包含第一半导体材料的第一沟道形成区、以及第一栅电极；以及第二晶体管，该第二晶体管包括第二源电极和第二漏电极中与第一栅电极组合的一个、以及包含第二半导体材料且电连接到第二源电极和第二漏电极的第二沟道形成区。

主权项

一种半导体器件，包括：第一晶体管，所述第一晶体管包括：包含第一半导体材料的第一沟道区；其间夹有所述第一沟道区的杂质区；所述第一沟道区上的第一栅绝缘层；所述第一栅绝缘层上的包括第一栅电极的导电层；以及电连接到所述杂质区的第一源电极和第一漏电极；第二晶体管，所述第二晶体管包括：第二源电极和第二漏电极，其中所述导电层包括所述第二源电极和所述第二漏电极之一，并且其中所述第二源电极和所述第二漏电极中的另一个与所述第一栅电极分开；包括第二沟道区的半导体层，该第二沟道区包含第二半导体材料且电连接到所述第二源电极和所述第二漏电极；所述第二沟道区上的第二栅绝缘层；以及所述第二栅绝缘层上的第二栅电极；以及与所述杂质区和所述半导体层相接触的绝缘层，其中，所述第二半导体材料包括氧化物半导体材料，且其中，所述第二晶体管具有在室温下低于或等于1×10^‑19A/μm的截止状态电流，其中，所述第一半导体材料是与所述第二半导体材料不同的半导体材料。