| 主权项 |
1﹒一种形成自我对齐全覆盖浅掺杂泄极元件制法,包括一在矽层上形成闸氧化层后即进行植入浅掺杂离子步骤;一依序在闸氧化层上实施第一复矽晶沈积/掺杂及沈积一氮化矽层之步骤;一覆盖相应于元件通道宽度之光阻于氮化矽层上方之步骤;一蚀刻氮化矽及去光阻后,仅形成块状氮化矽之步骤;一全面性实施第二复矽晶之沈积/掺杂步骤;一蚀刻第二复矽晶转变为氮化矽侧壁之步骤;一蚀刻去除位在氮化矽侧壁外围下方之第一复矽晶层之步骤;一形成位在第一复矽晶外侧矽层位置之源/泄极区之离子植入步骤;一去除氮化矽,而使第一复矽晶层中央形成自我对齐伸入缺口之步骤;及一植入通道区离子,以使矽层浅掺杂区中央切断之步骤;藉由前由先行植入浅掺杂区及后续氮化矽侧壁形成通道离子植入之自动对齐在浅掺杂区中央,据以形成覆盖在复矽晶闸极两侧下方之浅掺杂源泄极构造者。3﹒如申请专利范围第1项所述之形成自我对齐全覆盖浅掺杂泄极元件制法,其中更可在植入通道区离子之步骤完成后,再进行高能量异性离子植入,使对应于矽层之通道区及源/泄极下方分别形成挡止区者。3﹒如申请专利范围第2项所述之形成自我对齐全覆盖浅掺杂泄极元件制法,其中该离子植入能量及密度分别为130-200KeV及3x10^11-1x10^12/cm^2者。4﹒如申请专利范围第1项所述之形成自我对齐全覆盖浅掺杂泄极元件制法,其中该闸氮化层之氧化厚度约在 100-200A。5﹒如申请专利范围第1项所述之形成自我对齐全覆盖浅掺杂泄极元件制法,其中该第第二复矽晶层之沈积厚度分别约在100-2000A,与1000-3000A者。6﹒如申请专利范围第1项所述之形成自我对齐全覆盖浅掺杂泄极元件制法,其中该源/泄极区离子植入能量及密度分别在30-80KeV 及2x10^15-8x10^15/cm^2者。7﹒如申请专利范围第1项所述之形成自我对齐全覆盖浅掺杂泄极元件制法,其中通道区离子植入之能量及密度分别为50-12OKeV及1x10^13-6x10^13/cm^2者。图示简单说明:第一图:系传统全覆盖型浅掺杂泄极元件剖面示意图。第二图:系本发明之制程示意图。 |
