| 主权项 |
1﹒一种可进行单位元抹除之快闪记亿体制法,包括:一在矽层上形成井区、场氧化层之步一施加光罩以使欲形成记忆元区域进行植入硼(P─)之步骤,以增加记忆元区域可程式化特性;一沈积薄厚度之隧道氧化层的步骤;一依序进行第一复晶矽层、介电质层、第二复晶层后及氧化层之沈积步骤;一施加光罩及蚀刻步骤,以形成前述四层构造之块状区域;一实施源泄极光罩步骤,使矽层相关区域形成N+区之步骤;一化学气相沈积形成氧化层之步骤;一对氧化层进行侧壁层回蚀刻步骤;一形成氧化层之步骤;及一进行第三复晶矽层沈积/掺杂/光罩/蚀刻以形成对应在上方之选择线的步骤;而构成一种对称于共用源极左、右侧分别形成各别快闪记忆单元及控制电晶体之构造。2﹒如申请专利范围第1项所述之可进行单位元抹除之快门记忆体制法,其中该隧道氧化层之沈积厚度约在50-150A者。3﹒如申请专利范围第1项所述之可进行单位元抹除之快门记忆体制法,其中该介电质层可为氧化层或氧化层/氮化矽/氧化层三层ONO材料者。4﹒一种可进行单位元抹除之快门记忆体构造,包括:多数快闪记亿单元,对应于同一共用源极线上、下对称连接相邻之各记亿单元的源极,各记忆单元之闸极以横列联连接形成各别字元线;多数控制电晶体,各控制电晶体之源极系串接在各快闪记忆单元之泄极上,控制电晶体之泄极则则以横列并联连接形成各位元线,各控制电晶体之闸极即以纵列并联连接形成各别选择线;藉控制且晶体之闸极的选择线及泄极之位元线加入一高电压,而在相应快门记忆体闸极之字元线上加入一低电压,即可单独对此特定记忆单元进行抹除者。5﹒如申请专利范围第4项所述之可进行单位元抹除之快闪记忆体构造,方可藉控制源极加入一高电压,其余呈接地状态,即可进行区块记忆抹除者。图示简单说明:第一图:系传统快闪记忆元之剖面结构图。第二图:系传统快闪记忆体之等效电路图。第三图:系本发明之快闪记忆元局部剖面图。第四图:系本发明之快闪记忆体等效电路图。第五图:系本发明之制程示意图。 |
