| 主权项 |
1.一种唯读记忆体多阶式电流放大电路,其包括:一感测电路,用以感应检测唯读记忆体记忆细胞元件的电流,其中记忆细胞元件可具有四种预定的电流特性;以及三个比较电路,分别耦接到该感测电路,而且分别具有一电流比较单元和-输出端点,该三个电流比较单元用以提供三种预定的参考电流,让该三个比较电路分别与该感测电路所检测的记忆细胞元件电流作比较,以便根据该四种预定的电流特性,在该三个输出端点输出四种预定的信号。2.如申请专利范围第1项所述之唯读记忆体多阶式电流放大电路,其中该三个电流比较单元是由四种预定电流特性的电晶体组合而成的,而且其四种预定的电流特性与记忆细胞元件的四种预定电流特性相同。3.如申请专利范围第2项所述之唯读记忆体多阶式电流放大电路,其中每一个电流比较单元均包括四个调整电晶体,其中两个调整电晶体串联在一起,并且再与另两个串联的调整电晶体并联在一起,串联的电晶体是属相同的预定电流特性,而并联的电晶体则属不相同的预定电流特性,因而组合提供该三种预定的参考电流値。4.如申请专利范围第3项所述之唯读记忆体多阶式电流放大电路,其中每一个比较电路根据其电流比较单元所提供的预定参考电流,与该感测电路所检测的记忆细胞元件电流作比较时,若记忆细胞元件电流大于预定参考电流,则在其输出端点输出高位阶的“1"信号;若小于的话,则其输出低位阶的“0"信号。5.如申请专利范围第4项所述之唯读记忆体多阶式电流放大电路,其中记忆细胞元件和调整电晶体的四种预定电流特性,可利用不同的电晶体元件尺寸来达成。6.如申请专利范围第5项所述之唯读记忆体多阶式电流放大电路,其中记忆细胞元件和调整电晶体的四种预定电流特性,系利用电晶体通道尺寸来达成。7.如申请专利范围第6项所述之唯读记忆体多阶式电流放大电路,其中四种不同的电晶体通道尺寸,系利用不同的离子植入程度来达成,亦即分为全部通道均没有离子植入、三分之一的通道有作离子植入、三分之二的通道有作离子植入、和全部通道均作离子植入等四种情况。8.如申请专利范围第7项所述之唯读记忆体多阶式电流放大电路,可再利用一解码电路,耦接到该三个比较电路的输出端点,用以将其输出的四种预定信号解码成四阶两位元的输出〝00〞、〝01〞、〝10〞、和〝11〞。第1图是依照本创作-较佳实施例,一种唯读记忆体多阶式电流放大电路的示意电路图。第2图是第1图的电路感应检测不同特性的记忆细胞(亦即具有不同储存数据的记忆细胞),所输出的信号特性示意图。第3图是依照本创作较佳实施例,单一记忆细胞在积体电路布局上的上的上视示意图,用以绘示其如何达成储存四阶式的数据。第4图是绘示依照本创作较佳实施例,一解码电路的逻辑函数和其输出入 |
