| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体,包括:一绝缘基板;形成于绝缘基板上之一闸极;形成于闸极上之一闸绝缘膜;形成于闸绝缘膜上之一半导体层,半导体层具有一对之接触区域以及介于此对接触区域间由微结晶矽所形成之一活动区域;形成于半导体层上之一源极与一吸极,源极与吸极间有一适当之空间;以及一通道钝化膜,设于源极与吸极之间;其中此对之接触区域系由微结晶矽掺杂以不纯物而形成,且其中通道钝化层形成遮覆此接触区域对之每一区域之部份。2.一种薄膜电晶体,包括:一绝缘基板;形成于绝缘基板上之一闸极;形成于闸极上之一闸绝缘膜;形成于闸绝缘膜上之一半导体层,半导体层系由微结晶矽所形成;形成于半导体层上之一源极与一吸极,源极与吸极间有一适当之空间;以及一通道钝化膜,设于源极与吸极之间;一第一接触层,设于源极与半导体层之间;以及一第二接触层,设于吸极与半导体层之间;其中第一与第二接触层系由微结晶矽掺杂以不纯物所形成,且其中第一接触层之一部份形成于通道钝化膜上,第二接触层之一部份形成于通道钝化膜上。3.根据申请专利范围第1或第2项之薄膜电晶体,其中通道钝化膜系形成倾斜面。图1为一种根据本创作第一实施例之薄膜电晶体的横截面图。图2为一种根据本创作第二实施例之薄膜电晶体的横截面图。图3为一种根据本创作第三实施例之薄膜电晶体的横截面图。图4为一种根据本创作第四实施例之薄膜电晶体的横截面图。图5为一种根据本创作第五实施例之薄膜电晶体的横截面图。图6为一种根据本创作第六实施例之薄膜电晶体的横截面图。图7a至图7d为说明图6薄膜电晶体之制造阶段的横截面图。图8为一种习知之薄膜电晶体的平面图。图9为沿图8之A-A线所取的横截面图。图10为沿图8之B-B线所取的横 |
