| 主权项 |
1.一种在流体化床中将受到焦碳沉降积污染的触媒再生之方法,其中欲再生之触媒以及含氧的气体引进触媒第一再生区中,在该区中于适当之紧密床条件下至少部分再生,第一再生操作所得的气体流出物利用已拥有的方式分离及移除,且触媒由第一区抽出,输送至第二再生区,其与第一再生区分开,第二再生区再生温度高于第一再生区,且触媒与第二次再生操作的烟雾分离,且至少抽出一部份;此方法以下列步骤为特征:(a)至少一部份第二再生区所含触媒以及一部份烟雾经由倾斜的导管向下输送至外部之适当高度的热交换区中,该导管将第二再生区的紧密床连接至热交换区,且接合点为开口式,安置的方式为该热交换区下端至最高达该接合点之上定出该紧密床中之触媒区,其高度与再生区中触媒之高度大致相同,而该紧密床上方之适当体积排放区高至该热交换区之上端为止;(b)触媒在该紧密床区,至少部份于适当的间接热交换及流体化条件下冷却,流体化气体含有氧气,触媒向底部运行,与流体化气体的流动方向相反;(c)将该排放区体积内的触媒、流体化气体及任何再生烟雾予以分离;(d)该步骤(c)的气体及烟雾,由排放区移除,并传送至第二再生区紧密床之上的稀薄相;以及(e)将经冷却的触媒由热交换区下方抽出,并循环至第一再生区。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该经冷却之触媒的循环,发生在第一次再生操作的气体喷射装置之上方。3.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中经冷却之触媒容许利用重力,流入至第一再生区之下的Y型或J型接点,且以加速的速率上升,直到第一再生区为止。4.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中热交换区中的流体化速率在0.025米/秒与1米/秒之间,且在0.05与0.5米/秒之间较佳。5.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中第二再生区的流体化速度在0.6与1.5米/秒之间,且在0.8与1.2米/秒之间较佳。6.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中热交换区中的高度可使流体化气体及烟雾排放有效体积等于在第二再生区中紧密床平面以上0.1至5米的高度,最好是1至2.5米。7.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中由排放区抽出的气体速率在2与15米/秒之间,且在5与8米/秒之间更佳。8.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中几乎所有的间接热交换都在接合点以下发生。9.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中需要冷却的触媒流量,利用热交换区下游之至少一个阀控制,此阀是由第一或第二再生区的设定温度所控制。10.一种在流体化床中将受焦碳污染的触媒予以再生之设备,其包括一个第一再生器(1),该再生器包括一个用过的触媒进入的装置(2),流体化装置(5)及使用含氧气体将触媒再生的装置,该装置在紧密相(3)中流体化床内操作,用于已经部份再生的触媒产生的再生烟雾之第一分离装置(6),及用于该烟雾的第一移除装置(7),用于该触媒由第一再生器至下文将定义的第二再生器(9)的传送装置(10);第二再生器包括用于至少已经有部份由含氧气体再生的触媒流体化及再生的装置(12),该装置在紧密相(19)中流体化床内操作直到达适当的高度(19a)为止,用于由再生触媒产生的再生烟雾之第二分离装置(17)及用以将该烟雾与第一移除装置分离的第二移除装置(18);该设备特征包如下组合;一个外部、垂直、细长而具适当高度的热交换器(21)接收热触媒,且可能有部份烟雾经由连接在该第二再生器紧密床至交换器间的倾斜导管(20),当触媒经由交换器向下循环时冷却;该交换器包括了:在下端以气体使触媒流体化的装置(24),该装置形成一个紧密床的适当高度(19b),该倾斜导管(20)于第二再生器(9)之紧密床高度(19a)之下有一对交换器(21)具开口之接合点,该接合点与热交换器之上端(26)有一空间,因此可能将交换器上部(27)或位于交换器中紧密床上方排放区内的触媒与再生烟雾及流体化气体分离,用以由交换器上部排放区移除烟雾及流体化气体的装置(28),此装置在再生器中之触媒紧密床高度(19a)之上的点与第二再生器(9)连接;及将经冷却之触媒由交换器下端循环至第一再生器的抽出与循环装置(34,30)。11.根据申请专利范围第10项之设备,其中交换器的接合点,位于距交换器上端离交换器总高度四分之一与二分之一之间处,最好是离高度四分之一与三分之一之间处。12.根据申请专利范围第10或11项之设备,其中交换器(21)包含热交换管束(22),其最好位于交换器中位于接合点以下的部份。13.根据申请专利范围第10或11项之设备,其中抽取及循环装置包含一个控制触媒流动的控制阀(30),该阀位于交换器底端之下方。14.根据申请专利范围第10或11项之设备,其中第一再生器之流体化及再生装置包含流体化元件诸如栏栅、环或分配管(5),且其中抽取与循环装置(34)在流体化元件上方,开口进入第一再生器的紧密床。15.根据申请专利范围第10或11项之设备,其中抽取及循环装置包含导管(34a)及连接交换器底端至位于第一再生器平面下方的Y型或J型接合管,该的接合管包含用以提升触媒至第一再生器的装置34c。16.根据申请专利范围第10或11项之设备,其特征为:其包括控制及调整温度的装置,该装置包括一个控制设备(31),连接至第二再生器(9)中的温度探针(32),且在该控制阀(30)的控制下,该控制器可能接到位于第一再生器(1)中的温度探针(8),且在控制该第一再生器(1)中流体化气体流量的阀(33)的控制下。图1显示本发明设备之一具体实施态样,其系使用于经焦碳污染之触媒流体化床之再 |
