可堆积之三维多晶片半导体装置

摘要

一种可堆积之三维多晶片模组 (MCM) (59) 可被制造以一个晶片载体 (48)以接合剂 (29)连结另一晶片载体。 上层晶片载体 (42)在基片 (46)之较低之表面四有接合剂球粒(23) 。下层晶片载体 (48)在其基质之上表面及下表面均有接合剂球粒。一种上罩 (60)可被用来密封一个装置 (50)，且这上罩之高度将在载体平面间形成一种自然的正隔离(stand-off) ，加速接合剂连接之形成以使接合疲乏最不易产生。散热片更加强了MCM之热度消散于此堆积处理方式中可以轻易地调节。甚者，每个基质均可运载多个晶片，所以此模组包含平面晶片密度成长与三度空间成长。

主权项

1.一种可堆积之半导体多晶片模组,包含有:一热传导质料之低层晶片载体基片,且其具有多个焊锡块在此低层晶片载体基片之上层及底层表面;一第一半导体片电气且实体地固定连接于低层晶片载体基片;一密封该第一半导体片以保护该第一半体片并作为一隔离之密封物;一具有一顶层及一底层表面的热传导性质料之上晶片载体基片;多个在上层晶片载体基体之底层表面上之焊鍚块;以及一第二半导体片构置并电气耦合之上层晶片载体基片,其中该低层晶片载体基片以及该上层晶片载体基片由一焊鍚块之连接而相互结合。2.根据申请专利范围第1项之半导体晶片模组,其中该低层晶片载体基片及上层晶片载体基片由一材料所组成,而此材料乃选自一群包含氮化铝、共射陶瓷,矽晶圆材质,及环氧玻璃布合成物。3.一种可堆积之半导体多晶片模组包含:一热导性材质之低层晶片载体基片且其具有多个焊锡块在此载体基片之顶及底层表面上;一第一半导体片电气地并实体地固定接合至该低层晶片载体;一热导性材料之上层晶片载体基片具有一顶表面及一底表面;多个焊鍚块在上层晶片载体基片之底表面上;一第二半导体片构置并电气耦合至上层晶片载体基片,而低层晶片载体基片和上层晶片载体基片以接合点相互电气连接;以及一罩盖覆盖此第一半导体片并作为一正性隔离以产生上层晶片载体基片与下层晶片载体基片间之时漏接合连接点。4.根据申请专利范围第3项之半导体多晶片模组,其中在低层晶片载体基片之顶层及底层表面上之焊鍚块和在上层晶片载体基片之底之焊鍚块包含不同之接合组成。图1是一个可堆积三度空间半导体多晶片模组(MCM)在接合再循环前依本创作之横截面图。图2是一个可堆积三度空间半导体MCM以一种热度沈积描述本创作实施例之横截面图。图3是一个半导体装置在基质之低表面上以焊鍚块设置于一晶片载体基片上之横截面图,其描述在装配此三度空间半导体MCM中一步骤,乃依据本创作。图4是一个半导体装置在基片之低表面及高表面以焊鍚块构置于晶片载体基片上之横截面图,其依据本创作描述在装配此三度空间半导体MCM上之一步骤。图5是一个可堆积三度空间半导体MCM之横截面图,其描述本创作之实施例。图6是一个可堆积三度空间半导体多晶片模组以一种罩盖在较低半导体