| 主权项 |
1.一种电浆总成,包含:置于一真空室内用以产生一局限电浆之构件,所述构件包括一射频头,后者具有一置于一表面邻近之射频电极;用以控制所述射频电极与所述表面间之电浆压力之构件,所述电浆压力控制构件围绕所述射频头且其一末端固定于所述室内并有一侧壁以较所述射频电极接近所述表面之程度延伸以形成一经控制之电浆压力区域,其中该电浆压力控制构件之末端及侧壁配合所述表面形成一包围该射频头之充气室。2.如申请专利范围第1项之总成,其中所述电浆压力控制构件包括用以监察所述区域内压力之构件。3.如申请专利范围第1项之总成,其中所述电浆压力控制构件包括:用以将一补给气体引进所述经控制之电浆压力区域内之构件;以及用以使所述补给气体能逸出所述充气室之构件。4.如申请专利范围第3项之总成,其中所述电浆压力控制构件尚包含:用以监察所述区域内压力之构件。5.如申请专利范围第4项之总成,其中所述用以监察所述区域内压力之构件包括一流体压力计。6.如申请专利范围第4项之总成,其中所述用以引进一补给气体之构件包括一气体流控制器及一压力控制阀。7.如申请专利范围第3项之总成,其中所述补给气体逸出构件包括多数有孔隙部份,各所述有孔隙部份系置于所述用以引进所述补给气体之构件与所述表面之间。8.如申请专利范围第7项之总成,其中所述侧壁系用不锈钢制成而各所述有孔隙部份系用烧结不锈钢制成。9.如申请专利范围第8项之总成,其中所述补给气体逸出构件包括至少一穿通所述侧壁之开口。10.如申请专利范围第9项之总成,其中所述至少一开口系置于所述用以引进所述补给气体之构件与所述表面之间。11.如申请专利范围第1项之总成,其中所述侧壁系固定于所述真空室之一壁上。12.如申请专利范围第1项之总成,其中所述侧壁系固定于所述射频头上。13.如申请专利范围第12项之总成,其中所述侧壁适合随所述射频头移动,而所述射频头适合相对于所述表面移动。14.如申请专利范围第1项之总成,尚包含:用以于所述侧壁上建立一电荷之构件。15.如申请专利范围第14项之总成,其中所述电荷与由所述局限电浆产生之各种离子相反。16.如申请专利范围第1项之总成,其中所述侧壁为不锈钢且厚度约在116寸至1/8寸之间。17.如申请专利范围第1项之总成,其中所述侧壁延伸至离所述表面1/2至1又1/2寸之内。18.如申请专利范围第17项之总成,其中所述表面为一半导体晶圆之表面。19.如申请专利范围第18项之总成,其中所述半导体系置 |
