| 主权项 |
1.一种瓷质电容器,系具备由电介瓷质组成物所成之1或2以上之电介瓷质层,及夹持着该电介瓷质层之至少2以上之内部电极的瓷质电容器,其特征为前述电介瓷质组成物为,由将100重量部之基本成分,与O.2-5.0重量部之添加成分之混合物在1050-1200℃之温度施行 烧者所成,前述基本成分为,由以{(Ba1-w-x Caw Mgx)O}k(Ti1-y-zZry Rz)O2-z/2(但是,R为),自Sc,Y,Gd,Dy,Ho,Er,Yb,Tb,Tm及Lu所选择之1种或2种以上之元素,w,x,y,z,k为,满足0.00≦w≦0.270.001≦x≦0.030.05≦y≦0.260.002≦z≦0.041.00≦k≦1.04之数値)表示之物质所组成,前述添加成分为,由Li2O、SiO2及MO(但是,MO为自BaO、SrO、CaO、MgO及ZnO所选择之1种或2种以以上之氧化物)所组成,前述Li2O,前述SiO2及前述MO之组成范围为,在以莫耳%表示该等之组成的三角图中,依次连接:表示前述Li2O为1莫耳%,前述SiO2为80莫耳%,前述MO为19莫耳%之组成的第1个点A,表示前述Li2O为1莫耳%,前述SiO2为39莫耳%,前述MO为60莫耳%之组成的第2个点B,表示前述Li2O为30莫耳%,前述SiO2为30莫耳%,前述MO为40莫耳%之组成的第3个点C,表示前述Li2O为5莫耳%,前述SiO2为50莫耳%,前述MO为0莫耳%之组成的第4个点D,表示前述Li2O为20莫耳%,前述SiO2为80莫耳%,前述MO为0莫耳%之组成的第5个点E;之5条直线所包围之区域内者。2.一种瓷质电容器,系具备由电介瓷质组成物所成之1或2以上之电介瓷质屠,及夹持着该电介瓷质层之至少2以上之内部电极的瓷质电容器,其特征为,前述电介瓷质组成物为,由将100.0重量部之基本成分,与0.2-5.0重量部之添加成分之混合物在1050-1200℃之温度施行 烧者所组成,前述基本成分为,由以{(Ba1-w-x CawMgz)0}k(Ti1-y-zZry Rz)O2-z/2(但是,R为,自Sc,Y,Gd,Dy,Ho,Er,Yb,Tb,Tm及Lu所选择之1种或2种以上之元素,w,x,y,z,k为,满足0.00≦w≦0270.001≦x≦0.030.05≦y≦0.260.002≦z≦0.041.00≦k≦1.04之数値)表示之物质所组成,前述添加成分为,由B203.SiO2及MO(但是,NO为自BaO、SrO、CaO、MgO及ZnO所选择之1种或2种以以上之氧化物)所组成,前述B2O3.前述SiO2及前述MO之组成范围为,在以莫耳%表示该等之组成的三角图中,依次连接表示前述B2O3为1莫耳%,前述SiO2为80莫耳%,前述MO为19莫耳%之组成的第1个点F,泰示前述B2O3为1莫耳%,前述SiO2为39莫耳%,前述MO为60莫耳%之组成的第2个点G,表示前述B2O3为30莫耳%,前述SiO2为0莫耳%,前述MO为70莫耳%之组成的第3个点H,表示前述B2O3为90莫耳%,前述SiO2为0莫耳%,前述MO为10莫耳%之组成的第4个点I,衰示前述B2O3为90莫耳%,前述SiO2为10莫耳%,前述MO为0莫耳%之组成的第5个点J,表示前述B2O3为20莫耳%,前述SiO2为80莫耳%,前述MO为0莫耳%之组成的第6个点K;之6条直线所包围之区域内者。3.一种瓷质电容器,系具备由电介瓷质组成物所成之1或2以上之电介瓷质层,与夹持着该电介瓷质层之至少2以上之内部电极的瓷质电容器,其特征为,前述电介瓷质组成物为,由将100.0重量部之基本成分,与0.2-0.5重量部之添加成分之混合物在1050-1200℃之温度施行 烧者所组成,前述基本成分为,由以{(Ba1-w-x CawMgz)0}k(Ti1-y-zZry Rz)O2-z/2(但是,R为,自Sc,Y,Gd,Dy,Ho,Er,Yb,Tb,Tm及Lu所选择之1种或2种以上之元素,w,x,y,z,k为,满足0.00≦w≦0270.001≦x≦0.030.05≦y≦0.260.002≦z≦0.041.00≦k≦1.04之数値)表示之物质所组成,前述添加成分为由B2O3,SiO2及Li2O所组成,前述B2O3.前述SiO2及前述Li2O之组成范围为,在以莫耳%表示该等之组成的三角图中,依次连接衰示前述B2O3为1莫耳%,前述SiO2为50莫耳%,前述Li2O为49莫耳%之组成的第1个点L,表示前述B2O3为50莫耳%,前述SiO2为1莫耳%,前述Li20为49莫耳%之组成的第2个点M,表示前述B2O3为8O莫耳%,前述SiO2为1莫耳%,前述Li2O为19莫耳%之组成的第3个点N,表示前述B2O3为89莫耳%,前述SiO2为1O莫耳%,前述Li2O为1莫耳%之组成的第4个点O,表示前述B2O3为19莫耳%,前述SiO2为80莫耳%,前述Li2O为1莫耳%之组成的第5个点P,表示前述B2O3为1莫耳%,前述SiO2为8O莫耳%,前述Li2O为19莫耳%之组成的第6个点Q;之6条直线所包围之区域内者。4.一种制造申请专利范围第1,2,或3项之瓷质电容器之方法,包括:将构成上述基本成分之金属元素之化合物以构成上述基本成分之比率混合,而将该混合物在氧化性蒙气中,在1O5O-13OO℃之温度初 烧而获得上述基本成分之原料粉末之程序;将构成上述添加成分之金属元素之化合物以构成上述添加成分之比率混台,并将该混合物在氧化性蒙气中在8OO-1100℃温度初 烧而获得添加成分之原料粉末之程序;将上述基本成分之原料粉末以及上述添加成分之原料粉末与有机粘合剂与水混合而制得料浆之程序;将该料浆涂布于合成树脂膜片上并予以乾燥而形成未烧结瓷片之程序;在该未烧结瓷片上形成由导电性胶浆所成之图案(pattern)之程序;将该未烧结瓷片复数片予以积层而形成至少2层上述图案挟持该未烧结瓷片之积层物之程序;将该积层物以非氧化性蒙气中在1050-1200℃之温度 烧之程序;将经过 烧之该积层物在氧化性蒙气中在500-1000℃之温度热处理之程序;以及在该积层物之端面形成将上述图案交互连接之一对外部电极之程序者。 |
