| 主权项 |
1.一种双载子接面电晶体的制造方法,适用于第一型半导体材料制作双载子接面电晶体,且上述第一型半导体材料当作上述双载子接面电晶体的集极区,而上述双载子接面晶体的制造方法包括下列步骤:于上述第一型半导体材料上的既定位置形成遮蔽物,以界定出制造上述双载子接面电晶体的元件区;以上述遮蔽物为罩幕,掺植第二型杂质至上述第一型半导体材料,而形成第二型掺植区,且于上述第二型掺植区上形成第一场区氧化物;去除上述第一场区氧化物;于上述遮蔽物的侧边形成边墙间隔物;以上述遮蔽物及边墙间隔物为罩幕,掺植第二型杂质至上述第二型掺植区,而形成第二型浓掺植区,以使上述第二型掺植区界定成上述双载子接面电晶体的基极区,且于上述第二型浓掺植区上形成第二场区氧化物;去除上述边墙间隔物,而形成凹槽;于上述凹槽形成上述双载子接面电晶体的射极电极,且经由上述射极电极而将第一型杂质扩散至上述基极区,以形成上述双载子接面电晶体的射极区;以及形成上述集极区的接触区。2.如申请专利范围第1项所述之双载子接面电晶体的制造方法,其中,上述遮蔽物包括氧化物层及氮化物层,且上述边墙间隔物为氮化物,当去除上述边墙间隔物之同时去除上述遮蔽物的氮化物,同时使上述集极区的接触区位于上述射极区之间。3.如申请专利范围第2项所述之双载子接面电晶体的制造方法,其中,上述射极电极为复晶矽。4.如申请专利范围第1.2或3项所述之双载子接面电晶体的制造方法,其中,上述第一型为N型,而上述第二型为P型。5.如申请专利范围第1.2或3项所述之双载子接面电晶体的制造方法,其中,上述第一型为P型,而上述第二型为N型。第1图系显示习知双载子接面电晶体的剖面图;以及第2图系显示用以说明本发明之双载子接面电晶体的 |
