一种具有高耦合比之单层复晶矽之电程式仅读记忆器装置

摘要

本创作系有关一种具有高耦合比之单层复晶矽之电程式仅读记忆器装置，主要系于场氧化层上经一控制闸光罩将欲形成控制闸区予以曝露并蚀刻场氧化层成凹槽状及一位于该凹槽底下经离子植入所形成之控制闸，其上再形成闸氧化层及复晶矽浮动闸。如此本创作之控制闸面积不再是知之平面状而是凹槽状，故可在不增加元件所占面积条件下增加控制闸与介电质之接触面积，进而提高控制闸之电容耦合比值，以达到具有降低工作电压，提高产品寿命及可靠度，且不制程复杂化等功效。

主权项

1.一种具有高耦合比之单层复晶矽之电程式仅读记忆器装置,系包括:在第一导电型矽半导体基体或第一导电型井区上含有经氧化矽光罩及蚀刻氮化矽和垫氧化层所形之活跃区及场氧化层;一经控制闸光罩并蚀刻场氧化层所形成之凹槽;一以高浓度第二导电型杂质离子値入并高温驱入所形成之埋层控制闸;一经由去除氮化矽与垫氧化层并再行热氧化所形成之闸氧化层;一由复晶矽沈积并杂质掺杂及光罩照相后,再蚀刻复晶矽及闸氧化层21以形成浮动闸;及一再藉高浓度第二导电型杂质离子植入及高温驱入所形成它源极汲极区。2.如申请专利范围第1项所述之一种具有高耦合比之单层复晶矽之电程式仅读记忆器装置,其中蚀刻场氧化层所形成之凹槽可为藉氟化铵与氢氟酸混合之缓冲氧化层蚀刻液(B.O.E)所蚀刻成之概呈倒梯形之凹槽。3.如申请专利范围第1项所述之一种具有高耦合比之单层复晶矽之电程式仅读记忆器装置,其中蚀刻场氧化层所形成之"V"字型槽可先藉B.O.E.溶液蚀刻场氧化层,再以KOH