| 主权项 |
1.一多孔矽光感测器之制造方法,包括:(a)镀第一导电金属层于一矽基板之一面;(b)使该矽基板于钝气中焠火一段时间;(c)上一层防腐蚀剂于该导电金属层之上;(d)该矽基板进行阳极氧化蚀刻,俾于该矽基板之另一面得一多孔矽结构;(e)除去该防腐蚀剂并镀第二导电金属层于该多孔矽之上,俾得一多孔矽光感测器;利用该多孔矽表面每一条线径大小値之不同分布及该矽基板与该多孔矽间所形成之异质接面,使该多孔矽光感测器能感测到宽波长范围之光。2.如申请专利范围第1项所述之多孔矽光感测器之制造方法,步骤(a)中之第一导电金属层系铝(A1),步骤(e)中之第二导电金属层系金。3.如申请专利范围第1项所述之多孔矽光感测器之制造方法,步骤(b)中之钝气系指氮,焠火时间为十分钟。4.如申请专利范围第1项所述之多孔矽光感测器之制造方法,步骤(c)中之防腐蚀剂为蜡。5.如申请专利范围第1项所述之多孔矽光感测器之制造方法,步骤(a)中之矽基板为电阻系数25-45-cm之P型矽。6.如申请专利范围第5项所述之多孔矽光感测器之制造方法,步骤(d)中之阳极氧化蚀刻系置于5%-10%的氢氟中进行。7.如申请专利范围第6项所述之多孔矽光感测器之制造方法,步骤(d)中之阳极氧化蚀刻所使用之电流密度为12.5-25mA/cm@su2。8.如申请专利范围第7项所述之多孔矽光感测器之制造方法,步骤(d)中之阳极氧化蚀刻时间为5-40分钟。9.如申请专利范围第8项所述之多孔矽光感测器之制造方法,该多孔矽表面之每一条线径大小値有30%之差异。10.如申请专利范围第1项所述之多孔矽光感测器之制造方法,该多孔矽光感测器所感测光之波长范围为300nm-1700nm。图示简单说明:第一图:系本案方法所制造出之一较佳实施例多孔矽光感测器结构示意图。第二图:系该多孔矽光感测器于暗室与照光下之电流一电压特性曲线图。第三图(a):系该多孔矽光感测器于波长范围300nm-1700nm之光谱响应图。第三图(b):系该多孔矽光感测器之细部光谱响应图。 |
