| 主权项 |
1.一种可自动对准编程的唯读记忆体制造方法,包括下列步骤:(a)在一矽基底中形成埋入式位元线,且在该矽基底上形成字元线;(b)在该字元线上形成帽层,覆盖住字元线;(c)在相邻的字元线/帽层堆叠之间的空间中,形成阻隔层,该阻隔层的厚度大于字元线的厚度;(d)上编程光阻,界定出预定的写码窗口;(e)将经由写码窗口暴露出的帽层去除掉;以及(f)进行离子植入,穿透暴露出的字元线,将离子植入到其下方的矽基底中,而阻隔层的厚度则足以阻止离子穿透。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,更包括将编程光阻和阻隔层去除掉之步骤。3.如申请专利范围第2项所述之制造方法,更包括将剩余的帽层全部去除掉之步骤。4.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中该步骤(c)包括下列步骤:沈积一层光阻材料;针对该层光阻材料进行回蚀刻,直到帽层的上表面暴露出来为止;以及以紫外线烘烤剩余的光阻材料,增加其硬度。5.如申请专利范围第4项所述之制造方法,更包括在字元线和矽基底之间形成闸极氧化层的步骤。6.如申请专利范围第5项所述之制造方法,其中字元线是由复晶矽制成,厚度约为1000-4000埃之间。7.如申请专利范围第5项所述之制造方法,其中字元线是由金属复晶矽化合物制成,厚度约为1000-4000埃之间。8.如申请专利范围第6或7项所述之制造方法,其中帽层是由矽氧化物制成,厚度约为1000-5000埃之间。9.如申请专利范围第6或7项所述之制造方法,其中帽层是由矽氮化物制成,厚度约为1000-5000埃之间。10.如申请专利范围第5项所述之制造方法,其中该步骤(f)中的离子植入是采用硼离子,植入能量较佳约为100-400KeV之间,掺入量较佳约为110@su1@su4atoms/cm@su2。11.一种可自动对准编程的唯读记忆体制造方法,包括下列步骤:(a)在一基底中形成埋入式位元线,且在该基底上形成字元线;(b)在该字元线上形成帽层,覆盖住字元线;(c)在相邻的字元线/帽层堆叠之间的空间中,形成阻隔层;(d)去除掉字元线上的帽层;(e)上编程光阻,界定出预定的写码窗口;(f)进行离子植入,穿透暴露出的字元线,将离子植入到其下方的基底中,而阻隔层的厚度则足以阻止离子穿透。12.如申请专利范围第11项所述之制造方法,更包括将编程光阻和阻隔层去除掉之步骤。13.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中该步骤(c)包括下列步骤:沈积一层光阻材料;针对该层光阻材料进行回蚀刻,直到帽层的上表面暴露出来为止;以及以紫外线烘烤剩余的光阻材料,增加其硬度。14.如申请专利范围第13项所述之制造方法,更包括在字元线和基底之间形成闸极氧化层的步骤。15.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中字元线是由复晶矽制成,厚度约为1000-4000埃之间。16.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中字元线是由金属复晶矽化合物制成,厚度约为1000-4000埃之间。17.如申请专利范围第15或16项所述之制造方法,其中帽层是由矽氧化物制成,厚度约为1000-5000埃之间。18.如申请专利范围第15或16项所述之制造方法,其中帽层是由矽氮化物制成,厚度约为1000-5000埃之间。19.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中该步骤(f)中的离子植入是采用硼离子,植入能量较佳约为100-400KeV之间,掺入量较佳约为110@su1@su4atoms/cm@su2。图示简单说明:第1图显示一种传统唯读记忆体的结构,其系沿着第2图的Ⅰ-Ⅰ线剖开之剖面示意图。第2图显示第1图的ROM之上视布局示意图。第3a至3f图显示依照本发明一较佳实施例,一种可自动对准编程的唯读记忆体制造方法,各制造阶段的剖面示意图。第4a至4c图显示依照本发明一较佳实施例,一种可自动对准编程的唯读记忆体制造方法各制造阶段的剖面示意图。第3a至3f和第4a至4c图分别绘示本发明的两个较佳实施例,其中相同的参考号码用来在各图式中标示相同和相对应的部份。第3a至3f图和第4a至4c图绘示本发明在各制造阶 |
