| 摘要 |
본 발명은 GaAs 홀센서 칩 및 GaAs 홀센서 칩 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 GaAs 홀센서 칩 제조방법은 GaAs 기판 상부에 채널층, 공간층 및 오믹층을 순서대로 형성하는 에피택시얼층 형성 단계; 상기 에피택시얼층을 십자가 패턴으로 만드는 패터닝 단계; 십자가 패턴의 에피택시얼층 네 단부 상부에 각각 전극을 형성하는 전극 형성 단계; 상기 전극이 형성되지 않은 에피택시얼층 내부 영역에서 상기 오믹층만 모두 제거하는 리세스 에칭 단계; 및 상기 리세스 에칭 단계 이후에 상기 전극의 상부면을 제외하고 상기 에피택시얼층이 형성된 상기 GaAs 기판 상부를 덮는 절연막을 형성하는 절연막 형성 단계로 이루어져 GaAs 홀센서 칩의 플리커 노이즈를 감소시킬 수 있는 것을 특징으로 한다. |
