发明名称 METHOD OF MANUFACTURING A GAS SENSOR
摘要 <p>Zur Erhöhung der Leitfähigkeit von Gassensoren zur Detektion reduzierender Gase wird auf ein Substrat (S) eine Ga2O3-Schicht (A) als gassensitive Schicht aufgebracht und bei einer Temperatur von 750 °C bis 850 °C getempert, so daß die Ga2O3-Schicht akzeptorfrei ist.</p>
申请公布号 WO1996005507(A1) 申请公布日期 1996.02.22
申请号 DE1995001035 申请日期 1995.08.07
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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