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<P>La présente invention concerne un composant semi-conducteur de commutation d'une charge inductive, comprenant des première et deuxième bornes extérieures (Vcc, G), des première et deuxième bornes de commande (V1, V3) et un noeud de connexion (A), un transistor bipolaire vertical (T) ayant une base (B), disposé entre la première borne extérieure (Vcc) et le noeud (A), un premier transistor vertical (S1) entre le noeud (A) et la deuxième borne extérieure, une diode zener (Z) et un deuxième transistor vertical (S3) connectés en parallèle entre la base (B) et le noeud (A).</P>
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