| 摘要 |
一种高速操作之高容量半导体储存装置包括多数个记忆元阵列段，每一阵列段包括设置成行与列矩阵形状之记忆元，若干条字线而要一字线至一相关行之记忆元，一行解码器俾选择一字线，若干位元线而每一位元线连至一相关选择电晶体之记忆元具有一连至一位元线之输入（源极）电极，一列选择线瑰连至感测放大器选择电晶体之闸极电极，一列解码器俾选择一列选择线，以及资料汇流排线其连至感测放大器选择电晶体之输出(汲极)电极，其中列选择线系设置成相交字线及资料汇流排线，字线系藉一第一布线层形成，列选择线系藉一第二布线层形成，以及资料汇流排线系藉一第三布线层形成。可同时实现精细之字线及低电阻资料汇流排线。 |
