制造具有至少一金氧半电晶体之积体电路的方法

摘要

于含有源极区域基片之主面上生成绝缘层。于前述绝缘层上设置有局部曝露前述源极区域之第１开孔。至少含有MOS电晶体之通道区域及汲极区域之垂直序(layersequence)以原地掺杂质法藉半导体材料之晶膜成长而形成于该第１开孔内。深度至少相当于汲极区域及通道区域厚度之和的第３开孔生成于层结构上，闸介电体加于其表面上，接着再于该闸介电体上加上闸电极。