用于活性矩阵显示装置的具有结晶半导体层的半导体装置

摘要

从第III，第IV或第V族元素中选择的一种或数种元素被引入非晶矽膜，然后藉着在６００℃或较低的温度加热而晶化。晶化从元素被引入的区域平行于基体的方向发展。半导体装置的活性区域形成于晶化的半导体层的一部份内的方式使晶体生长方向与装置的电流方向之间的关系之选择是根据活性区域所需求的移动率。