半导体器件及其制作方法

摘要

一种半导体器件，其中在接触孔内确保了有效表面积，并且其中存储电极精确地构成方角图样。在接触孔内的有效表面积可以通过存储电极接触孔与一部分存储电极重叠而获得，以便保证较大容量。朝向最后存储电极使有效表面积减小的矩形存储电极的圆角可通过在接触孔上由某一行或列到另一行或列存储电极掩模的不同位置而防止，以便使已构型的存储电极同所设计的电极之间没有差异。

主权项

1.一种半导体器件，其中在一半导体基底上形成象许多电容器那样相互连接的MOSFET，它包括：一下绝缘层，它淀积在具有接触孔的MOSFET上，通过每个接触孔露出MOSFET电极；和多个存储电极，其每个电极包括一导电层图样和一导电衬垫，所述导电层图样是与同MOSFET电极电接触的接触孔部分地重叠，并且所述导电衬垫是在导电层图样的侧壁上形成，并在导电层图样上直线延伸。