发明名称 |
光电探测器制作过程中清洗硼硅玻璃的方法 |
摘要 |
一种光电探测器制作过程中清洗硼硅玻璃的方法,在清洗硼硅玻璃之前,先对器件进行热氧化处理,然后采用湿法腐蚀法对光敏区进行清洗。本发明的有益技术效果是:可以在光电探测器制作过程中,更加容易地去除残留在光敏区的硼硅玻璃,提高光敏区的清洁度,从而获得均匀性较好的增透膜,使光电探测器的光响应均匀性得到提高。 |
申请公布号 |
CN104241437B |
申请公布日期 |
2016.09.28 |
申请号 |
CN201310231627.3 |
申请日期 |
2013.06.13 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
发明人 |
许宏;陈捷;张艳 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;B08B3/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
重庆辉腾律师事务所 50215 |
代理人 |
侯懋琪;侯春乐 |
主权项 |
一种光电探测器制作过程中清洗硼硅玻璃的方法,包括:光电探测器制作过程中,通过在器件的硅衬底表面进行硼扩散工艺形成光敏区,光敏区表面会附着一层因硼扩散工艺而产生的硼硅玻璃,其特征在于:采用如下方法去除附着在光敏区表面的硼硅玻璃:1)将器件置于氧化炉中进行热氧化处理:热氧化处理使得硼硅玻璃内侧的硅衬底表面被氧化为二氧化硅,由于二氧化硅的生成导致硅衬底表面发生微小的形变,使得附着在硅衬底表面的硼硅玻璃变得酥松;2)采用湿法腐蚀法对光敏区进行清洗:腐蚀液在对硼硅玻璃起到腐蚀作用的同时,腐蚀液还通过硼硅玻璃之间的孔隙渗入硅衬底表面,从而对步骤1)中生成的二氧化硅起到腐蚀作用,使硼硅玻璃失去附着部,可以更加容易地将硼硅玻璃从光敏区表面清除掉;所述腐蚀液采用硝酸和氢氟酸的混合溶液。 |
地址 |
400060 重庆市南岸区花园路14号电子44所 |