APPARATUS FOR PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION AND METHOD FOR FORMING THIN FILM OXIDES USING THE SAME

摘要

본 발명은 플라즈마 원자층 증착 장치 및 플라즈마 원자층 증착을 이용한 산화물 박막 형성 방법에 관한 것으로, 공정이 수행되는 공간을 제공하는 챔버; 챔버에 설치되어 챔버 내에 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성부; 및 기판상에 증착될 산화물 박막의 목표 플랫 밴드(flat-band) 전압 레벨 또는 산화물 박막을 포함하는 트랜지스터의 목표 문턱 전압(threshold voltage) 레벨에 따라 플라즈마의 전력을 산출하고, 산출한 플라즈마의 전력에 따라 플라즈마 생성부를 제어하는 제어부를 포함하는 플라즈마 원자층 증착 장치를 제공한다.