| 主权项 |
1. 一种数位类比转换器电流单元,用以将取自一前置处理装置之数位讯号转换成类比电流讯号输出,其中,该数位讯号系为互为反相之第一讯号与第二讯号;该数位类比转换器电流单元并受一偏压装置之固定电压驱动以产生固定电流;该数位类比转换器电流单元包括:一第一PMOS场效电晶体,以汲极接地,以闸极耦合该前置处理装置并输入该第一讯号;一第二PMOS场效电晶体,以源极耦合该第一PMOS场效电晶体之源极,以闸极耦合该前置处理装置并输入该第二讯号,以及以汲极形成该数位类比转换器电流单元输出端;以及至少一个第三PMOS场效电晶体互以源极和汲极耦合,形成串联于一高电压源和该第一PMOS场效电晶体之源极之间;该等串联之第三PMOS电晶体并以闸极耦合该偏压装置,以产生一固定电流供应至该第一与第二PMOS场效电晶体;该数位类比转换器电流单元系于该第一讯号高于该第二讯号时于输出端输出该固定电流,而于该第一讯号低于该第二讯号时,停止电流输出。2. 如申请专利范围第1项所述之数位类比转换器电流单元,其中,该前置处理装置系依据一参考电位将一原始数位讯号处理为该第一讯号与该第二讯号;该装置包括:一第四PMOS场效电晶体与一第一NMOS场效电晶体相耦合成一第一CMOS结构,而具有正极端、负极端、输入端与输出端;其中,该负极端接地,该输入端输入该原始数位讯号,以及该输出端产生该第一讯号,并耦合至该第一PMOS场效电晶体之闸极;一第五PMOS场效电晶体与一第二NMOS场效电晶体相耦合成一第二CMOS结构,而具有正极端、负极端、输入端与输出端;其中,该负极端接地,该输入端输入该原始数位讯号之反相讯号,以及该输出端产生该第二讯号,并耦合至该第二PMOS场效电晶体之闸极;以及一对NMOS场效电晶体,具有相同之通道尺寸,其闸极互相耦合,并且维持于该参考电位,汲极同耦合至该高电压电源,以及其源极分别耦合至该等CMOS结构之正极端;其中,该第一NMOS场效电晶体与该第二NMOS电晶体具有相同之通道尺寸。3. 如申请专利范围第1项或第2项所述之数位类比转换器电流单元,以一参考电位产生器,接受该偏压装置之控制,以产生该参考电位,供应该前置处理装置利用;该参考电位产生器包括:一第六PMOS场效电晶体,以源极耦合该高电压电源,以闸极受该偏压装置控制;一第三NMOS场效电晶体,其汲极与闸极共同耦合该第六PMOS场效电晶体之汲极,并耦合至该前置处理装置,以供应该参考电位;以及一第七PMOS场效电晶体,以源极耦合该第三NMOS场效电晶体之源极,以闸极和源极共同耦合并接地;其中,该第六PMOS场效电晶体具有与该第三PMOS场效电晶体相同之通道尺寸,以及该第七PMOS场效电晶体具有与该第一PMOS场效电晶体及该第二PMOS场效电晶体相同之通道区尺寸。图示简单说明:第1图绘示习知数位类比转换器电流单元之电路图。第2图绘示依照本创作一较佳实施例之电路图。 |
