Method for programming non-volatile memory device and apparatuses performing the same

摘要

비휘발성 메모리 장치가 개시된다. 상기 비휘발성 메모리 장치는 상기 복수의 비휘발성 메모리 셀들을 포함하는 셀 스트링과, 프로그램 동작 시 상기 복수의 비휘발성 메모리 셀들 중에서 선택된 비휘발성 메모리 셀에 접속된 워드 라인으로 프로그램 전압을 공급하고, 디트랩 동작 시 상기 워드 라인으로 제1음의 전압을 공급하고, 프로그램 검증 동작 시 상기 워드 라인으로 제2음의 전압을 검증 전압으로서 공급하는 동작 제어 블록을 포함한다.