发明名称 |
Method of forming patterns |
摘要 |
식각 대상층 및 하부층(under layer) 상에 필라(pillar)들 배열 및 제1오프닝부(opening portion)들을 제공하는 템플레이트(template)부를 형성하고, 측벽들을 덮는 격벽 부분들을 제공하는 격벽층을 형성한 후, 블록코폴리머층을 도입하고 어닐링(annealing)하여 제1도메인부들 및 제2도메인부와 제3도메인부들을 에워싸는 제4도메인부들의 형성을 유도한다. 제1도메인부들 및 제3도메인부들을 선택적으로 제거하여 제2오프닝부들 및 제3오프닝부들을 유도하고, 필라들을 선택적으로 제거하여 제4오프닝부들을 유도한 후, 제2 및 제4오프닝부들이 연장된 제5오프닝부들 및 제3오프닝부들이 연장된 제6오프닝부들이 하부층을 관통하도록 유도한다. 제5오프닝부들 중 일부를 막아 차폐(sealing)하는 차폐 패턴을 형성하고, 제5오프닝부들이 연장된 제7오프닝부들 및 제6오프닝부들이 연장된 제8오프닝부들이 식각 대상층을 관통하도록 유도하는 패턴 형성 방법을 제시한다. |
申请公布号 |
KR20160119941(A) |
申请公布日期 |
2016.10.17 |
申请号 |
KR20150048673 |
申请日期 |
2015.04.06 |
申请人 |
SK HYNIX INC. |
发明人 |
BAN, KEUN DO;KIM, HONG IK;HEO, JUNG GUN;BOK, CHEOL KYU |
分类号 |
H01L21/027;H01L21/02;H01L29/06 |
主分类号 |
H01L21/027 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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