| 主权项 |
1. 一种薄膜形成法,主要配置被处理基体于具有气体导入口之真空容器内,而从前述气体导入口对前述真空容器内导入1种或2种以上之反应气体之同时且施加高频电力于该反应气体来产生电浆,以在前述被处理基板上形成由反应气体之反应生成物所形成之薄膜,其特征为:事先于前述反应气体之导入,予以导入其单独时实质上不具有形成薄膜能力之构成前述反应气体之成分气体,或包括于前述2种以上之反应气体之1种以上之气体而其本身则实质上不具有形成薄膜能力之气体所形成之放电用气体之同时,并施加高频电力于该放电用气体以使之产生电浆来进行前处理,然后,实质性地维持电浆状态下,替代前述放电用气体而导入前述反应气体,以形成薄膜于前述被处理基板上。2. 一种薄膜形成方法,主要配置被处理体于具有气体导入口且在内部具有平行平板电极之真空容器内之前述平行平板电极一方电极上,以形成复数层之薄膜于前述被处理基板上,其特征为:具备有,从前述气体导入口予以导入放电用气体之同时,并在前述平行平板电极施加高频电力以产生电浆放电之过程,及实质性地维持前述放电之下,将替代前述放电用气体而导入反应气体以形成由反应气体之反应生成物所形成之薄膜于前述基板上之过程,而形成前述薄膜之过程之至少一个过程,系将使用1种或复数种之反应气体来形成由反应生成物所形成之半导体薄膜之过程,且正在此过程之前所被导入之放电用气体,系由其本身而已时,在电浆放电下构成实质上不具有薄膜形成能力之前述反应气体之成分气体,或系包括于前述2种以上之反应气体中之1种以上之气体且其本身而已时,在电浆放电下实质上不具有薄膜形成能力之气体所构成。3. 如申请专利范围第1项或第2项所述之薄膜形成法,其中,前述半导体薄膜系由矽和非氧元素所成者,而前述放电用气体系由前述非氧气所构成为其特征。4. 如申请专利范围第2项所述之薄膜形成法,其中,前述半导体薄膜系由矽所构成者,而前述放电用气体为氢气为其特征。5. 如申请专利范围第1或第2项所述之薄膜形成法,其中,前述导入放电用气体时之电浆放电时间,系在导入前述反应气体时之电浆放电时间为1之时,在于0.1-0.4之范围为其特征。6. 如申请专利范围第1或第2项所述之薄膜形成法,其中,当实质性地维持电浆放电之下,而替代放电用气体予以导入反应气体之时,以维持气体压力及放电电力成一定之状态下来进行反应气体之导入为其特征。7. 如申请专利范围第2项所述之薄膜形成法,其中,前述复数层之薄膜为由氮化矽—无定形矽所形成之薄膜为其特征。8. 如申请专利范围第2项所述之薄膜形成法,其中,前述复数层之薄膜为由氮化矽—无定形矽—氮化矽所形成之薄膜为其特征。9. 如申请专利范围第8项所述之薄膜形成法,其中,前述复数层之薄膜为构成无定形矽TFT[反交错(stagger)型]之氧化矽—氮化矽—无定形矽—氮化矽薄膜为其特征。10. 如申请专利范围第2项所述之薄膜形成法,其中,反应气体系由矽烷气体,和氢气、氮气及氨气所选择之1种或2种以上所构成,而放电用气体系由氢气、氮气及氨气所选择之1种或2种以上所构成为其特征。图示简单说明:第1图系以概念性地来显示使用于本发明实施例之CVD装置之图。第2图系本发明之一实施例的流程图。第3图系以模式来显示使用本发明所制作之通道蚀刻型之TFT图。第4图系以模式来显示使用本发明所制作之通道绝缘性之TFT图。第5图系以模式来显示使用本发明所制作之其他通道蚀刻型之TFT图。第6图系以先前之平行平板电浆CVD法所实施之薄膜形成法之流程图。 |
