| 主权项 |
1. 一种在基板上形成氧化矽膜的方法,包含:在基板表面上形成一涂膜,其中该涂膜的基本成份为具有下通式的矽树脂(HR@ss2SiO@ss1@ss/@ss2)@ssx(SiO@ss4@ss/@ss2)@ss1@ss.@ss0其中R选自氢原子、烷基及芳基,而0.1≦X≦2.0;及经由加热该涂覆过之基板而将该涂膜转变为陶瓷氧化矽膜,其中该矽树脂具有不超过100,000的重量平均分子量与不超过摄氏400度的软化点,该基板选自玻璃,陶瓷,金属,及半导体元件而该涂覆过之基板历经至少经30分钟加热到至少摄氏300度。2. 根据申请专利范围第1项的方法,其中该涂膜亦含有选自铂化合物、酸触媒、醇及低分子量以矽烷醇为端基之矽氧烷物料。3. 根据申请专利范围第1项的方法,其中经由在含有小于20体积百分比氧气之大气中加热该涂覆过之基板,完成该涂膜变成陶瓷氧化矽膜的转换。4. 根据申请专利范围第1项的方法,其中经由在含有至少20体积百分比氧气之大气中加热该涂覆之基板,完成该涂 |
