| 主权项 |
1. 一种半导体晶圆于正面不需覆盖涂层情况下,利用电浆促进方式之背面蚀刻方法,其中由半导体材料之晶圆至少经过一种沈积过程而在两侧面上覆盖一涂层,之后再将晶圆背面上之涂层于晶圆正面无保护涂层的情况下,藉蚀刻过程而去除,其特征为蚀刻过程是在一处理室实施,使得在电浆中所产生之反应粒子仅能达到晶圆之背面(2),而晶圆之正面则利用一种保护之钝气而阻止反应粒子之渗入。2. 如申请专利范围第1项之方法,其中在晶圆正面上作用之钝气压力至少应选择和在晶圆背面(2)上作用之压力相等。3. 如申请专利范围第1项之方法,其中晶圆之正面是利用在该正面上流动之钝气而获得保护。4. 如申请专利范围第2项之方法,其中晶圆之正面是利用在该正面上流动之钝气而获得保护。5. 如申请专利范围第1至4项中任一项之方法,其中在至少有部份密封之情况下在晶圆背面(2)内设有第一处理室部分(6),而在其相对之晶圆正面上形成第二处理室部分(5)。6. 如申请专利范围第5项之方法,其中密封作用系由属于处理室之支承面在晶圆之平面范围内之轮廓配合而产生。7. 如申请专利范围第5项之方法,其中部分密封作用是利用晶圆正面之外缘范围内所装设之环形隔膜(8)而产生。8. 如申请专利范围第7项之方法,其中所装设其他构件(9,10,11)之目的,是使各环形隔膜(8)与晶圆之间最多保持1公厘以下之距离并尽可能不与晶圆相接触。9. 如申请专利范围第8项之方法,其中环形隔膜(8)及晶圆之间是利用一种间接之止动片(10)而使晶圆正面互相保持完全无接触之状态。10. 如申请专利范围第1至4项中任一项之方法,其中可使用在蚀刻过程中已加入但未被激励之蚀刻气体作为钝气。11. 如申请专利范围第1至4项中任一项之方法,其中可应用氮气作为钝气(Inert gas)。12. 如申请专利范围第1至4项中任一项之方法,其中在一具个别晶圆蚀刻器(Individual-wafer etching device)内所实施的蚀刻过程是与构成水平之向上晶圆的正面发生作用。图示简单说明:图1:依据本发明之单晶圆-蚀刻器的图解。图2:晶圆利用多个楔形鼻而与隔膜保持一定之间隙。图3:该间隙可经由一间接之止动片而调整成完全与晶圆 |
