| 主权项 |
1. 一种由萤光体粒子构成之粉末状萤光体,其特征为:该萤光体粒子系由萤光体粒子本体(11,21,41)及披覆该萤光体粒子本体表面之披覆层(12,22,42)构成,该披覆层(12,22,42)之厚度系5(以下,以及系从i)与该萤光体粒子本体(11,21,41)相同之材料,i)母体材料与该萤光体粒子本体之母体材料相同,而且包含从添加于萤光体粒子本体之接受体及给予体所构成之群中选择之1种添加剂之材料,iii)与该萤光体粒子本体之母体材料相同之材料,iv)由构成该萤光体粒子本体之母体材料之至少一种元素所构成,而且与该母体材料不同之材料等所构成之群中选择之1种材料所构。2. 如申请专利范围第1项之萤光体,其中在披覆层(22)外侧又披覆高耐性膜(23)。3. 如申请专利范围第1项之萤光体,其中披覆层(12,42)系由导电性材料所构成。4. 如申请专利范围第1项之萤光体,其中萤光体粒子本体(11,21,41)之发光光谱之主波长大于披覆层(12,22,42)之发光光谱之主波长。5. 如申请专利范围第1项之萤光体,其中萤光体粒子本体(11,21,41)中之发光中心之浓度高于披覆层(12,22,42)中之发光中心之浓度。6. 如申请专利范围第1项之萤光体,其中萤光体粒子本体(11,21,41)系由ZnS系统之萤光体构成。7. 如申请专利范围第1项之萤光体,其中萤光体粒子本体(11,21,41)系由稀土类元素氧化物系统萤光体构成。8. 如申请专利范围第2项之萤光体,其中高耐性膜(23)为非发光性薄膜。9. 如申请专利范围第2项之萤光体,其中高耐性膜(23)为氧化膜。10. 如申请专利范围第6项之萤光体,其中ZnS系统萤光体包含从Cu,Ag,Au,Na,及K构成之群中选择之至少一种接受体元素及/或从A(,Ga,In,C(,I及Br构成之群中选择之至少一种给与体元素。11. 如申请专利范围第6项之萤光体,其中披覆层(12,22,42)之厚度为5(以下。12. 如申请专利范围第6项之萤光体,其中披覆层(12,22,42)之厚度为1.5(以下。13. 如申请专利范围第6项之萤光体,其中披覆层(12,22,42)之厚度为0.5(以下。14. 如申请专利范围第6项之萤光体,其中萤光体粒子之平均粒子径为8(以下。15. 如申请专利范围第6项之萤光体,其中萤光体粒子之平均粒径为5(以下。16. 如申请专利范围第6项之萤光体,其中在萤光体粒子本体(11,21,41)中活化之做为发光中心之成对之给与体与接受体之发光尖峰波长为监视波长,在紫外线激起时,于室温下测定之热发光光谱中100℃以上之热发光强度为出现于室温附近之最先之尖峰强度之1/3以下,而且在加速电压25KV以上之条件下照射电流密度15uA/cm@su2之电子线而测定之发光能量效率之电流系数之数値为0.75以上。17. 如申请专利范围第6项之萤光体,其中在萤光体粒子本体(11,21,41)中活化之做为发光中心之成对之给与体与接受体之发光尖峰波长为监视波长,在紫外线激起时,于室温下测定之热发光光谱中100℃以上之热发光强度为出现于室温附近之最先之尖峰强度之1/3以下,而且在加速电压25KV以上之条件下照射电流密度75uA/cm@su2之电子线而测定之发光能量效率之电流系数之数値为0.70以上。18. 如申请专利范围第6项之萤光体,其中披覆层(12,22,42)系由ZnS系统萤光体所构成,而且在低于萤光体粒子本体(11,21,41)之温度或600℃以下之温度形成。19.如申请专利范围第7项之萤光体,其中稀土类元素氧化物系体萤光体包含从Eu,Tb,Tm,Ce及Mn所构成之群中选择之至少一种元素。20. 如申请专利范围第16项之萤光体,其中电流系数之数値为0.85以上。21. 如申请专利范围第17项之萤光体,其中电流系数之数値为0.85以上。22. 一种萤光膜13,72,其特征为:由申请专利范围第1至第21项中之任一项所述之萤光体所构成。23. 一种显示装置,其特征为:具有申请专利范围第1至第21项中之任一项所述之萤光体做为自发光体。24. 一种电致发光元件,其特征为:具有申请专利范围第1至第21项中之任一项所述之萤光体做为自发光体。25. 一种萤光显示管,其特征为:具有申请专利范围第1至第21项中之任一项所述之萤光体做为自发光体。26. 一种阴极射线管,其特征为:申请专利范围第1至第21项中之任一项所述之萤光体构成面板(71)上之萤光膜光幕(72)。27. 如申请专利范围第26项之阴极射线管,其中萤光膜(72)之厚度为30(以下。28. 如申请专利范围第26项之阴极射线管,其中萤光膜(72)之厚度为25(以下。29. 如申请专利范围第26项之阴极射线管,其中萤光膜(72)之发光点径为170(以下。30. 如申请专利范围第26项之阴极射线管,其中萤光膜(72)之发光点直径为150(以下。图示简单说明:第1图为本发明之萤光体之构造之概略断面图;第2图为表示本发明一实施例之表面被披覆之萤光体粒子之断面图;第3图为用来说明利用本发明之各实施例中使用之化学气相成长法披覆表面之装置之概略图;第4图为表示本发明之其他实施例中之表面被披覆之萤光体粒子之断面图;第5图为本发明之萤光体与习用萤光体之热发光光谱之图表;第6图为表示本发明之萤光体与习用之萤光体之电流特性之图表;第7图为表示具有萤光膜光幕之阴极射线管之概略断面图;第8图为表示习用之阴极射线管中使用之3原色萤光体之各电流特性之图表;第9图为表示使用习用之萤光体之萤光膜中之光线之散乱轨迹之概略说明图;第10图为用来说明利用本发明之其他实施例中使用之溅射 |
