| 摘要 |
<p>L'invention se rapporte à une structure EEPROM améliorée comportant une période plus longue de rétention des données. Ce résultat est obtenu en n'utilisant que des charges positives pour stocker des données sur la grille flottante. La structure EEPROM comprend un transistor (112) de sélection d'écriture, un transistor (120) de sélection de lecture et un transistor (126) détecteur de porte flottante. La source du transistor de sélecteur d'écriture est couplée de manière capacitive à la grille flottante du transistor de détection de la grille flottante par l'intermédiaire d'une couche (145) d'oxyde à effet tunnel. La grille flottante du transistor détecteur de grille flottante est également couplée de manière capacitive à une ligne (CG) de porte de commande par l'intermédiaire d'une couche d'oxyde (153) de grille. Le transistor de détection est formé en tant que transistor d'enrichissement pour permettre à la structure EEPROM de fonctionner dans une région où le potentiel de la grille flottante est positif à la fois pour les conditions de programmation et d'effacement, ce qui revient à n'utiliser que les charges positives pour stocker des données.</p> |
