| 主权项 |
1. 一种以矩阵型式排成行列的记忆体单元配置,其中每一个记忆体单元含有一个具有源极端、汲极端和闸极端的金氧半电晶体,此配置包含:许多相邻的位元线和许多选择线;各行安置该许多位元线的两条相邻位元线之间,且该许多选择线之配置的选择线分别沿着各列延伸;经由其源极端和汲极端分别连接到该许多位元线之相邻位元线的该行或列之各电晶体,以及经由其闸极端分别连接到配置的选择线之该列或行之各电晶体;以及至少另一金氧半电晶体,分别在该许多位元线的两相邻位元线之间和至少一特定的位元线与一特定的电位之间连接,该至少另一金氧半电晶体分别具有源极端、汲极端及闸极端,此电晶体经由其源极端和汲极端连接到两条分别相邻的位元线,或是连接到特定位元线和特定电位,此等另一金氧半电晶体的闸极端连接到共同预先充电线以交互地将位元线充到特定电位V。2. 如申请专利范围第1项之配置,其中至少设置两条特定位元线,且其中该至少两条特定位元线之每一条经由各另一金氧半电晶体之源极端和汲极端连接到特定的电位,而此各另一金氧半电晶体以其闸极而连接到预先充电线。3. 如申请专利范围第2项之配置,其中该配置并含N条位元线和K条电位线,而这些线是以列方向或行方向一个接着一个排列,还有M条选择线和L条预先充电线,而这些线是以行方向或是列方向一个接着一个排列,且其中K条电位线分布于N条位元线之间,而L条预先充电线则分布于M条选择线之间,以致于I条位元线分别位于彼此间方向相对且与选择线互相垂直延伸之配置的两个外缘其中之一和最外面紧临此缘之K条电位线其中一条之间,且J条选择线分别位于彼此间方向相对且沿着选择线延伸的配置之两外缘其中之一和最外面紧临此缘的L条预先充电线其中一条之间,其中I实质上取为N/(2K),而J实质上取为M/(2L),且N、M、K和L分别表示自然数。4. 如申请专利范围第1项之配置,其中至少两条预先充电线用以交互地将位元线充至特定电位,并且其中该至少两条预先充电线之每一条经由其闸极端连接到另一金氧半电晶体,且其中该另一金氧半电晶体之每一个安置于两条相邻的位元线之间或是在至少一条特定位元线和特定电位之间,且其中各该另一金氧半电晶体以其源极端和汲极端连接到该相邻位元线,或是连接到该特定的位元线和特定的电位。5. 如申请专利范围第1项之配置,其中该特定的电位是在至少一条电位线之上,而此电位线至少紧临一条特定位元线。6. 一种以矩阵型式排成行列的记忆体单元配置,各记忆体单元含有一个具备源极端、汲极端和闸极端的金氧半电晶体,其中包含:许多相邻的位元线、许多选择线和至少两条特定位元线;安置于该许多位元线之两相邻位元线之间之各行,以及分别沿着各列延伸的该许多选择线之一条配置的选择线;经由其源极端和汲极端分别连接至该许多位元线之两相邻位元线的该行或列之各电晶体,以及经由其闸极端连接到个别配置的选择线的该列或行之各电晶体;至少另一金氧半电晶体连接于该许多位元线的两相邻位元线之间以及在至少一特定位元线和一特定电位之间,该至少另一金氧半电晶体分别具有源极端、汲极端和闸极端,该至少另一金氧半电晶体经由其源极端和汲极端连接到两个分别相邻的位元线,或是连接到特定位元线和特定电位,另一金氧半电晶体的闸极端连接到共同预先充电线用以交互地将位元线充到特定电位V;以及各该至少两条特定位元线经由各另一金氧半电晶体的源极端和汲极端连接到特定电位,而此另一金氧半电晶体则以其闸极端连接到预先充电线。7. 如申请专利范围第6项之配置,其中至少两个预先充电线用以交互地将位元线充到特定的电位,且其中各该至少两条预先充电线连接到另一金氧半电晶体的闸极端,且其中各该另一金氧半电晶体安置于两条相邻位元线之间或在至少一特定位元线和特定电位之间,且其中各该另一金氧半电晶体以其源极端和汲极端连接到该相邻位元线,或是连接到该特定的位元线和特定的电位。8. 如申请专利范围第6项之配置,其中该特定的电位是位在至少一电位线之上,而此电位线至少紧临一特定的位元线。9. 如申请专利范围第6项之配置,其中该配置并含N条位元线和K条电位线,这些线是以列方向或行方向一个接一个排列,还包含了N条选择线和L条预先充电线,而这些线是以行方向或列方向一个接一个排列,且其中K条电位线分布于N条位元线之间,而L条预先充电线则分布于M条选择线之间,以致于I条位元线分别置于彼此间方向相对且与选择线互相垂直延伸之配置的两外缘其中之一和最外面紧临此缘之K条电位线其中之一之间,且J条选择线分别位于彼此间方向相对且沿着选择线延伸的配置之两外缘其中之一和最外面紧临此缘的L条预先充电线其中之一之间,其中I实质上取为N/(2K),而J实质上取为M/(2L),且N、M、K和L分别表示自然数。10. 一种以矩阵型式排成行列之记忆体单元配置,各记忆体单元含有一具有源极端、汲极端和闸极端之金氧半电晶体,此配置包含:N条位元线,K条电位线,M条选择线和L条预先充电线,而N条位元线和K条电位线是以列方向或行方向一个接一个排列,M条选择线和L条预先充电线则是以行方向或列方向一个接一个排列,而K条电位线分布于N条位元线之间,且L条预先充电线则分布于M条选择线之间,以致于I条位元线分别置于彼此间方向相对且与选择线互相垂直延伸之配置的两外缘其中之一和最外面紧临此缘之K条电位线其中之一之间,且J条选择线分别位于彼此间方向相对且沿着选择线延伸的配置之两外缘其中之一和最外面紧临此缘的L条预先充电线其中之一之间,其中I实质上取为N/(2K),而J实质上取为M/(2L),且N、M、K和L分别表示自然数;各该行安置于该N条位元线的两相邻位元线之间,该K条选择线之一条配置的选择线沿着各列分别延伸;各行或列之各电晶体经由其源极端和汲极端分别连接到该N条位元线之两相邻位元线,各列或行之各电晶体经由其闸极端连接到个别配置的选择线;至少另一金氧半电晶体分别连接于该N条位元线之两相邻位元线之间且在至少一个特定位元线和一个特定电位之间,该至少另一金氧半电晶体分别具有源极端、汲极端和闸极端,该至少另一金氧半电晶体经由其源极端和汲极端连接到两分别相邻的位元线,或连接到特定的位元线和特定的电位,另一金氧半电晶体的闸极连接到共同预先充电线用以交互地将位元线充电到特定的电位V;以及各该至少两特定位元线经由另一金氧半电晶体的源极和汲极连接到特定的电位,而此另一电晶体以闸极连接到预先充电线。11. 如申请专利范围第10项之配置,其中至少两预先充电线用以将位元线充到特定的电位,且其中各该至少两预先充电线连接到另一金氧半电晶体之闸极端,且其中各该另一金氧半电晶体安置于两相邻位元线之间,或是在至少一特定位元线和特定电位之间,且其中各该另一金氧半电晶体以其源极端和汲极端连接到该相邻位元线,或是连接到该特定的位元线和特定的电位。12. 如申请专利范围第10项之配置,其中特定的电位是位于至少一电位线之上,而此电位线至少紧临一特定位元线。图示简单说明:图1之略图示出一进步性记忆体配置之区段;图2是具有数个预先充电线和电位线之进步性记忆体配置的精简表示图,而图3是以前所用型式的记忆体配置,其中平行放置的电晶体安置于每两条位元线的末端,而同样是平行放置的电晶 |
