一种电子束曝光系统之库伦效应与邻近效应的消弭方法

摘要

本发明揭露了一种消弭积体电路微影技术之邻近效应（Proximity Effect)的方法。藉着在「电子束曝光系统」内之资料控制硬体（Data Control Hardware)设置图案尺寸筛选引擎（Pattern Size Sorting Engine)与电子束尺寸形成引擎（Beam Size Generating Engine)，本发明方法可以在所述「资料控制硬体」上进行「邻近修正」(Proximity Correction)，因此大幅缩短电子束的曝光时间，提高生产力，降低积体电路制造成本。

主权项

1. 一种电子束曝光系统(E-Beam Exposure System)之微影成像的方法,系包括:在薄膜表面形成光阻(Photoresist);利用光罩和电子束曝光系统对所述光阻进行曝光,但在所述『电子束曝光系统』内之资料控制硬体(DataControlHardware)装置有图案尺寸筛选引擎(PatternSize SortingEngine)与电子束尺寸形成引擎(Beam SizeGeneratingEngine),所述『图案尺寸筛选引擎』系用来筛选所述光罩上的图案尺寸,以将光罩上不同线宽的图案分类(PatternFracture),然后,利用所述『电子束尺寸形成引擎』对不同类线宽的图案施予不同的曝光剂量,以达到微影成像的目地。2. 如申请专利范围第1项之方法,其曝光方式包括电子束直接曝光在矽晶片上或曝光在光罩上。3. 如申请专利范围第1项之方法,其中所述之『图案尺寸筛选引擎』之数目至少大于一个。图示简单说明:图一是『图案尺寸筛选』之示意图。图二是『图案尺寸筛选』、『电子束尺寸形成』与『决定曝光剂量』之流程示意图,流程示意图只画出三个『图案